商品名稱：光電倍增管組件 H6614-70
商品型號：H6614-70
品牌：濱松光子
封裝規(guī)格：
商品類別：
二級分類：光電倍增管組件
商品批號：
貨期：四個月
商品編號：
商品重量：0.1kg
庫存數(shù)量：10000 個
單價：
60mm直徑光電倍增管組件，內(nèi)置光電倍增管：R5924-70。用于強(qiáng)磁環(huán)境。
| 組件尺寸 | Dia.60 mm |
| PMT尺寸 | 51 (2) mm |
| 內(nèi)置PMT型號 | R5924-70 |
| 光陰極形狀 | Round |
| 光陰極尺寸 | Dia.39 mm |
| 短波限 | 300 nm |
| 長波限 | 650 nm |
| 峰值波長 | 420 nm |
| 光陰極材料 | Bialkali |
| 光窗材料 | Borosilicate glass |
| 倍增極結(jié)構(gòu) | Fine mesh |
| 倍增極級數(shù) | 19 |
| 陽極到陰極電壓（額定最大值） | 2300 V |
| 陽極平均電流（額定最大值） | 0.33 mA |
| 陽極到陰極供電電壓 | 2000 V |
| 陰極光靈敏度（典型值） | 70 μA/lm |
| 陰極藍(lán)光靈敏度參數(shù)(CS 5-58)（ 典型值） | 9 |
| 陽極光靈敏度（典型值） | 700 A/lm |
| 陽極增益（典型值） | 1.0 x 107 |
| 陽極暗電流（30min后）（典型值） | 30 nA |
| 陽極暗電流（30min后）（最大值） | 200 nA |
| 上升時間（典型值） | 2.5 ns |
| 渡越時間（典型值） | 9.5 ns |
| 渡越時間分散（典型值） | 0.44 ns |
| 陽極脈沖線性（2%波動） | 500 mA |
| 陽極脈沖線性（5%波動） | 700 mA |
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CMOS相機(jī) 濱松 H8953-30 緊湊型X射線CMOS相機(jī) 非破壞性檢測 封裝： 品牌：濱松光子 |
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￥10000000.0000 詢價 |
庫存數(shù)量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G16561-0909T 0.95至1.69μm 640×512像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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￥1000000.0000 詢價 |
庫存數(shù)量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G16562-0909T 1.12至1.85μm 640×512像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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￥1000000.0000 詢價 |
庫存數(shù)量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G16563-0909T 1.3至2.15μm 640×512像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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￥1000000.0000 詢價 |
庫存數(shù)量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G16564-0909T 1.7至2.55μm 640×512像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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￥1000000.0000 詢價 |
庫存數(shù)量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G17242-0808T 0.9至2.15μm 320×256像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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￥1000000.0000 詢價 |
庫存數(shù)量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G17243-0808T 0.9至2.55μm 320×256像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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￥1000000.0000 詢價 |
庫存數(shù)量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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光電倍增管PMT 濱松 光電倍增管 R16571 側(cè)窗型 InGaAs光陰極面 適用于光譜儀 封裝：側(cè)窗型 品牌：濱松光子 |
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￥1000000.0000 詢價 |
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TDI相機(jī) 濱松 TDI相機(jī) C10000-A01 封裝： 品牌：濱松光子 |
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庫存數(shù)量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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CMOS相機(jī) 濱松 CMOS相機(jī) C11440-62U 封裝： 品牌：濱松光子 |
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庫存數(shù)量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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