商品名稱：銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G17242-0808T 0.9至2.15μm 320×256像素
商品型號：G17242-0808T
品牌：濱松光子
封裝規格：金屬
商品類別：
二級分類：濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器
商品批號：
貨期：四個月
商品編號：
商品重量：0.1kg
庫存數量：1000 個
單價：
InGaAs 面陣圖像傳感器
G17242/G17243-0808T 是專為近紅外高光譜成像設計的 InGaAs 面陣圖像傳感器。
具有不同截止波長的 InGaAs 芯片以高精度并聯排列，以在寬光譜響應范圍內實現高信噪比。它具有混合結構，由 CMOS 讀出電路（ROIC：讀出積分電路）和背照式 InGaAs 光電二極管組成。每個像素都由一個 InGaAs 光電二極管和一個 ROIC 組成，通過銦柱進行電氣連接。ROIC 中的時序發生電路提供模擬信號輸出，只需提供數字輸入即可獲得這些輸出。
特點
- 動態范圍：3500
- 4 端口模擬輸出
- 幀速率：高達 503 幀/秒（全行讀出模式，積分時間=1.98 ms，IWR 操作）
- 低暗電流
- 可以運行邊積分邊讀出功能和先積分后讀出功能
- 多行讀出功能
- 操作簡單（內置時序發生電路）
- 三級電子冷卻型
| 影像尺寸 | 6.40 mm × 2.48 mm（1.7 μm 區） 6.40 mm × 2.48 mm（2.2 μm 區） |
|---|---|
| 像素尺寸 | 20 μm × 20 μm |
| 像素間距 | 20 μm |
| 有效像素數 | 320 × 248 |
| 封裝 | 金屬 |
| 散熱 | 三級電子冷卻 |
| 幀速率（最大值） | 503 幀/秒 |
| 光譜響應范圍 | 900nm 至 1650nm（1.7 μm 區） 1300nm 至 2150nm（2.2 μm 區） |
| 最大靈敏度波長（典型值） | 1550 nm（1.7 μm 區） 1950 nm（2.2 μm 區） |
| 暗電流（典型值） | 0.01 pA（1.7 μm 區） 3.0 pA（2.2 μm 區） |
| 測量條件 | Ta=25 ℃，Tchip=-20 ℃，Vdd1=5.0 V，Vdd2=3.3 V，Vpdn=3.18 V，Vinp=3.1 V，Vrst=1.7 V，fop=50 MHz |
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庫存數量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G17243-0808T 0.9至2.55μm 320×256像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？
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