商品名稱：光電倍增管（PMT）模塊 H13320-13
商品型號：H13320-13
品牌：濱松光子
封裝規(guī)格：
商品類別：
二級分類：光電倍增管模塊
商品批號：
貨期：四個月
商品編號：
商品重量：0.1kg
庫存數(shù)量：10000 個
單價：
H13320系列光電倍增管模塊塊由一個13-mm(1/2")直徑側(cè)窗型光電倍增管和一個高壓電源組成，集成在鋁制外殼內(nèi)。該系列具有反射模式，可提供波長大于600 nm時的高量子效率、高達(dá)107的增益系數(shù)和快時間響應(yīng)。這些模塊適合于集成到便攜式設(shè)備上，因其功耗低且可通過干電池供電。
| 光陰極形狀 | Square |
| 光陰極尺寸 | 3.7 x 13.0 mm |
| 短波限 | 185 nm |
| 長波限 | 900 nm |
| 峰值波長 | 450 nm |
| 尺寸(W x H x D) | 19.0 x 53.2 x 50.8 mm |
| 輸入電壓 | +2.8 to +5.5 V |
| 輸入電壓（最大值） | +5.5 V |
| 輸入電流（最大值） | 2.7 mA |
| 輸出信號電流（最大值） | 10 μA |
| 控制電壓（最大值） | +1.2 (Input impedance : 1MΩ) V |
| 推薦控制電壓調(diào)整范圍 | +0.25 to +1.0 (Input impedance : 1MΩ) V |
| 陰極光靈敏度（最小值） | 620 μA/lm |
| 陰極光靈敏度（典型值） | 650 μA/lm |
| 陰極藍(lán)光靈敏度參數(shù)(CS 5-58) 典型值 | 15 |
| 陰極輻照靈敏度（典型值） | 109 mA/W |
| 陽極光靈敏度（最小值） | 400 A/lm |
| 陽極光靈敏度（典型值） | 2600 A/lm |
| 陽極輻照靈敏度（典型值） | 4.3 x 105A/W |
| 陽極暗電流（30min后）（典型值） | 3 nA |
| 陽極暗電流（30min后）（最大值） | 10 nA |
| 上升時間（典型值） | 1.4 ns |
| 波紋噪聲（峰-峰，最大值） | 0.5 mV |
| 設(shè)置時間（最大值） | 14 s |
| 工作環(huán)境溫度 | +5 to +50 ℃ |
| 存儲溫度 | -20 to +50 ℃ |
| 重量 | 104 g |
| 陰極紅/白比（典型值） | 0.43 |
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CMOS相機(jī) 濱松 H8953-30 緊湊型X射線CMOS相機(jī) 非破壞性檢測 封裝： 品牌：濱松光子 |
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￥10000000.0000 詢價 |
庫存數(shù)量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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￥1000000.0000 詢價 |
庫存數(shù)量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G16562-0909T 1.12至1.85μm 640×512像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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￥1000000.0000 詢價 |
庫存數(shù)量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G16563-0909T 1.3至2.15μm 640×512像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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￥1000000.0000 詢價 |
庫存數(shù)量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G16564-0909T 1.7至2.55μm 640×512像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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￥1000000.0000 詢價 |
庫存數(shù)量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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￥1000000.0000 詢價 |
庫存數(shù)量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G17243-0808T 0.9至2.55μm 320×256像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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￥1000000.0000 詢價 |
庫存數(shù)量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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光電倍增管PMT 濱松 光電倍增管 R16571 側(cè)窗型 InGaAs光陰極面 適用于光譜儀 封裝：側(cè)窗型 品牌：濱松光子 |
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TDI相機(jī) 濱松 TDI相機(jī) C10000-A01 封裝： 品牌：濱松光子 |
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CMOS相機(jī) 濱松 CMOS相機(jī) C11440-62U 封裝： 品牌：濱松光子 |
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庫存數(shù)量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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