商品名稱：銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G16825-256DG 0.9至2.1μm
商品型號：G16825-256DG
品牌：濱松光子
封裝規格：DIP22
商品類別：
二級分類：濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器
商品批號：
貨期：四個月
商品編號：
商品重量：0.1kg
庫存數量：1000 個
單價：
InGaAs 線陣圖像傳感器 G16825-256DG
G16825-256DG 是設計用于近紅外多通道分光光度測定的 InGaAs 線陣圖像傳感器。其由 InGaAs 光電二極管陣列和 CMOS 芯片組成，包含電荷放大器、偏移補償電路、移位寄存器和時序發生電路。電荷放大器配置有 CMOS 晶體管陣列，并連接到 InGaAs 光電二極管陣列的各個像素。由于每個像素的信號都在電荷積分模式下讀出，因此在近紅外區域實現了高靈敏度和穩定操作。CMOS 芯片上的信號處理電路支持使用外部電壓從兩種可用類型中為您的用途選擇理想的轉換效率 (CE)。
該產品比之前的產品更小，并且為非冷卻型。以前的長波長類型需要 TE 制冷來減少暗電流。與之前的產品相比，該產品通過零偏壓操作在未冷卻的情況下實現更低的暗電流。
特點
- 單視頻線
- 可從兩種轉換效率類型中選擇 (CE=16 nV/e-, 160 nV/e-)
- 像素尺寸：25 μm × 250 μm
- 低暗電流
- 低功耗
- 驅動電壓：3.3 V
| 影像尺寸 | 6.4 x 0.25 mm |
|---|---|
| 像素尺寸 | 25 x 250 μm |
| 像素間距 | 25 μm |
| 像素總數 | 256 像素 |
| 封裝 | 22 針陶瓷 |
| 制冷 | 非冷卻型 |
| 靈敏度波長范圍 | 900 至 2100 nm |
| 暗電流（最大值） | 5 pA |
| 測量條件 | 典型值 Ta = 25°C，除非另有說明 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G16823-128DB 0.9至1.7μm 封裝：DIP22 品牌：濱松光子 |
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￥1000000.0000 詢價 |
庫存數量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G16823-256DG 0.9至1.7μm 封裝：DIP22 品牌：濱松光子 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G16824-256DG 0.9至1.9μm 封裝：DIP22 品牌：濱松光子 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G16825-256DG 0.9至2.1μm 封裝：DIP22 品牌：濱松光子 |
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硅光電倍增管SiPM/MPPC 濱松 近紅外高靈敏度 硅光電倍增管 MPPC SiPM S16786-0515WM 封裝：SMT 品牌：濱松光子 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G14671-0808W 近紅外二維圖像傳感器 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G16561-0808T 近紅外二維圖像傳感器 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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庫存數量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G14714-1024DG 用于異物檢測 封裝：陶瓷 品牌：濱松光子 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G14714-512DE 用于異物檢測 封裝：陶瓷 品牌：濱松光子 |
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庫存數量：1000 個 整包裝： 貨期：四個月 |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G9206-512WB 封裝：Metal 品牌：濱松光子 |
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庫存數量：1000 個 整包裝： 貨期：現貨 |
1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？
答：部分商品可以直接下單，但考慮到現貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，請您直接聯系商城客服，您也可以點擊詢價或提交BOM單，我們將會與您聯系并給出對應的解決方案。
2. 商品都是原裝正品嗎？
答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
3.可以提供原廠或代理的資質證明嗎？
答：目前我們自營代理的品牌包含濱松，USHIO，新唐科技等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
4.我可以通過BOM單進行詢價嗎？
答：為客戶提供極具行業特色的電子元器件BOM表一站式供應鏈解決方案，只需聯系商城客服提交物料清單，即可獲得報價。
5.下單后什么時候能發貨？多久能到？
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6.能開發票嗎？
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