商品名稱：濱松 銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G11135-512DE
商品型號：G11135-512DE
品牌：濱松光子
封裝規格：Ceramic
商品類別：
二級分類：濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器
商品批號：QX
貨期：現貨
商品編號：
商品重量：0.001kg
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單價：
濱松 銦鎵砷（InGaAs）線陣圖像傳感器 G11135-512DE
線陣（512像素）近紅外（0.95 to 1.7 μm）圖像傳感器
G11135系列是為異物檢測設備而設計的銦鎵砷線陣圖像傳感器。該傳感器由銦鎵砷二極管陣列和CMOS芯片組成，CMOS芯片內部包含電荷放大陣列、偏執補償電路、移位寄存器和時序產生器。銦鎵砷二極管陣列和CMOS芯片由銦球連接。電荷放大陣列是把銦鎵砷二極管陣列的每個像素和CMOS晶體管連接而形成的。每個像素的信號在電荷積分模式下讀出，因此獲得了近紅外波段的高靈敏度和工作穩定性。CMOS芯片上的信號處理電路可以通過對外電壓來選擇兩種等級的轉換效率（CE），以滿足不同的應用需要。
產品特性
● 線陣(512像素）
● 高速數據率：最大5 MHz
● 兩種轉換率可選
● 像素尺寸：25×25μm
● 內置溫度傳感器
● 像素之間的線性度差異小
● 低成本
| 圖像尺寸 | 12.8 x 0.025 mm |
| 像素尺寸 | 25 x25 μm |
| 像素間距 | 25 μm |
| 總像素個數 | 512 |
| 封裝 | Ceramic |
| 幀頻 (最大值) | 8150lines/s |
| 制冷方式 | Non-cooled |
| 光譜響應范圍 | 950 to 1700 nm |
| 暗電流（典型） | 2.5 pA |
| 測試條件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G17243-0808T 0.9至2.55μm 320×256像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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TDI相機 濱松 TDI相機 C10000-A01 封裝： 品牌：濱松光子 |
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