商品名稱：銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G11620-512DA
商品型號：G11620-512DA
品牌：濱松光子
封裝規格：Ceramic
商品類別：
二級分類：濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器
商品批號：
貨期：4個月
商品編號：
商品重量：0.1kg
庫存數量：1000 個
單價：
銦鎵砷InGaAs線陣圖像傳感器 G11620-512DA
線陣（512像素）近紅外（0.95 to 1.7 μm）圖像傳感器
G11620系列是為近紅外多通道光譜儀而設計的銦鎵砷線陣圖像傳感器。CMOS芯片內部包含電荷放大器、移位寄存器和時序產生器。與包括兩片CMOS信號處理芯片的傳統銦鎵砷線性圖像傳感器不同，G11620系列通過將CMOS芯片與銦鎵砷二極管陣列凹凸連接只使用一個CMOS芯片。這種結構降低了奇數像素和偶數像素間通常存在的視頻輸出差異。電荷放大陣列是把銦鎵砷二極管陣列的每個像素和CMOS晶體管連接而形成的。
每個像素的信號在電荷積分模式下讀出，因此獲得了近紅外波段的高靈敏度和工作穩定性。CMOS芯片上的信號處理電路可以通過對外電壓來選擇兩種等級的轉換效率，以滿足不同的應用需要。
產品特性
● 低噪聲，低暗電流
● 兩種轉換率可選
● 抗飽和電路
● CDS電路
● 內置溫度傳感器
● 操作簡單（通過內置時序產生器）
● 高分辨率:25μm 間距
| 圖像尺寸 | 12.8 x 0.5 mm |
| 像素尺寸 | 25 x 500 μm |
| 像素間距 | 25 μm |
| 總像素個數 | 512 |
| 封裝 | Ceramic |
| 幀頻 (最大值) | 9150 lines/s |
| 制冷方式 | Non-cooled |
| 光譜響應范圍 | 950 to 1700 nm |
| 暗電流（最大值） | 5 pA |
| 測試條件 | unless otherwise noted, Typ. Ta=25 ℃,Vdd=5 V,INP=Vinp=PDN=4 V,Fvref=1.2V,Vφ=5V,f=1 MHz |
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濱松InGaAs銦鎵砷圖像傳感器 銦鎵砷InGaAs面陣圖像傳感器 G17243-0808T 0.9至2.55μm 320×256像素 封裝：金屬 品牌：濱松光子 |
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