在LEDdriverIC電源電路中，人們一般會在操縱引腳的GD端串聯1顆電阻，其功能具體包含：
1.操縱MOS管的開關速度，數據過大，打開時間過慢，數據過小，會造成較高的諧振。
2.吸收MOS管寄生電容和布線造成寄生電感的振動；
對于情況1，能夠由下列公式算出電阻阻值的大?。?0RC當中R是串聯電阻阻值，C為Cgs(可由datasheet中的Ciss和Crss計算算出)，Ton為開關導通的時長，這一時長能夠由占空比與開關頻率計算算出，文中以1個實際案例解說該問題，因為設計中替換MOS管，未替換相應的串聯電阻，察覺電感和VGS的波形下述圖示：
對于情況2，因為不確定性布線電感的數據，也許需用實際調試過程進行調整電阻阻值；
黃色的是VGS的電壓，藍色的是電感的電壓波形，從黃色波形能夠看得出VGS打開電壓在每一個開關電源的周期都產生了下拉，MOS管未順利打開，經調查原因發現先前采用的MOS管Ciss值很小，計算算出的Cg很小，這種計算算出的R阻值相對性較大，而替換新的MOS管，Ciss值很大，這時相應的R阻值需用相應較小，后由公式推算，調整R的阻值，波形恢復正常。
MOS管的D,G,S管腳之間會有寄生電容，舉例子，著名的米勒電容，G和S的電容CGS，D和G的電容：CGD，反方向傳輸電容，熟知的米勒平臺跟其密切相關；D和S的電容CDS。
將前文的CGS,CDS和CGD對比datasheet中的圖表，察覺不能容易相應上，其對應關系下述：
1.Ciss輸入電容Cgs+Cgd
2.反方向傳輸電容Crss=Cgd
3.Coss輸出電容Cds+Cgd
匯總：MOS管控制電路的話，從電阻阻值考量的層面看：
1.一定要依據Cgs和Ton計算操縱電阻的阻值，否則很可能在開關周期內不能打開MOS管，造成工作出現異常。
2.吸收LC振動頻率，自然我們在layout時需用留意VGS的布線要很短，降低L的數據；
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