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        索尼半導體最近發(fā)布了一項新型堆疊式COMS圖像傳感器技術，該技術采用雙層晶體管像素堆疊，為世界上首創(chuàng)，成功將COMS圖像傳感器的光收集能力增強了100%。

        索尼的雙層堆疊式CMOS圖像傳感器，將像素晶體管和光電二極管采用單獨的基板進行排列，然后將排列了像素晶體管和光電二極管的基板進行堆疊。采用這種新型堆疊技術，可以對像素晶體管層和光電二極管層單獨進行優(yōu)化。通過這種技術，在飽和信號性能方面，可以比以往的圖像傳感器提升一倍左右，從而獲得更大的動態(tài)范圍。

        常見的堆疊式CMOS圖像傳感器的像素晶體管和光電二極管是排列在同一個基板上的，使用的像素芯片結構是由堆疊在邏輯芯片頂部的背照式像素構成的。像素芯片在邏輯芯片上形成信號處理電路。控制信號的像素晶體管和將光轉換為電信號的光電二極管彼此相鄰地排列在同一層基板上。

        索尼通過采用雙層堆疊式技術，將像素晶體管和光電二極管放置在不同的基板上之后，新型COMS圖像傳感器的聚光能力就基本上等同于飽和信號電平了，從而使飽和信號能夠提升一倍，不僅能獲得更大的動態(tài)范圍，還能降低噪聲。

        飽和信號電平主要影響的是傳感器在昏暗環(huán)境中，對光信號解釋的準確性。飽和信號電平并不能直接影響傳感器的聚光能力。但是，索尼通過雙層堆疊技術，使COMS圖像傳感器具備了雙倍的聚光能力。

        由于在索尼雙層堆疊式CMOS圖像傳感器中，AMP（放大器晶體管）、RST（復位晶體管）和SEL（選擇晶體管）都與光電二極管不在同一個基板層，因此，可以通過增加放大晶體管的尺寸，來降低圖像傳感器在暗處或者夜間產生的噪聲。

        由于索尼雙層堆疊式CMOS圖像傳感器具有更寬的動態(tài)范圍，在昏暗環(huán)境和嚴重的逆光環(huán)境中照片的曝光會更好，同時，在黑暗環(huán)境中拍攝的照片噪點會更低。這款索尼雙層堆疊式CMOS圖像傳感器運用在智能手機上，將會使手機拍攝成像的質量更上一個臺階，手機拍攝的質量將會得到巨大的提升。