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        索尼半導(dǎo)體最近發(fā)布了一項新型堆疊式COMS圖像傳感器技術(shù)，該技術(shù)采用雙層晶體管像素堆疊，為世界上首創(chuàng)，成功將COMS圖像傳感器的光收集能力增強了100%。

        索尼的雙層堆疊式CMOS圖像傳感器，將像素晶體管和光電二極管采用單獨的基板進行排列，然后將排列了像素晶體管和光電二極管的基板進行堆疊。采用這種新型堆疊技術(shù)，可以對像素晶體管層和光電二極管層單獨進行優(yōu)化。通過這種技術(shù)，在飽和信號性能方面，可以比以往的圖像傳感器提升一倍左右，從而獲得更大的動態(tài)范圍。

        常見的堆疊式CMOS圖像傳感器的像素晶體管和光電二極管是排列在同一個基板上的，使用的像素芯片結(jié)構(gòu)是由堆疊在邏輯芯片頂部的背照式像素構(gòu)成的。像素芯片在邏輯芯片上形成信號處理電路。控制信號的像素晶體管和將光轉(zhuǎn)換為電信號的光電二極管彼此相鄰地排列在同一層基板上。

        索尼通過采用雙層堆疊式技術(shù)，將像素晶體管和光電二極管放置在不同的基板上之后，新型COMS圖像傳感器的聚光能力就基本上等同于飽和信號電平了，從而使飽和信號能夠提升一倍，不僅能獲得更大的動態(tài)范圍，還能降低噪聲。

        飽和信號電平主要影響的是傳感器在昏暗環(huán)境中，對光信號解釋的準確性。飽和信號電平并不能直接影響傳感器的聚光能力。但是，索尼通過雙層堆疊技術(shù)，使COMS圖像傳感器具備了雙倍的聚光能力。

        由于在索尼雙層堆疊式CMOS圖像傳感器中，AMP（放大器晶體管）、RST（復(fù)位晶體管）和SEL（選擇晶體管）都與光電二極管不在同一個基板層，因此，可以通過增加放大晶體管的尺寸，來降低圖像傳感器在暗處或者夜間產(chǎn)生的噪聲。

        由于索尼雙層堆疊式CMOS圖像傳感器具有更寬的動態(tài)范圍，在昏暗環(huán)境和嚴重的逆光環(huán)境中照片的曝光會更好，同時，在黑暗環(huán)境中拍攝的照片噪點會更低。這款索尼雙層堆疊式CMOS圖像傳感器運用在智能手機上，將會使手機拍攝成像的質(zhì)量更上一個臺階，手機拍攝的質(zhì)量將會得到巨大的提升。