頂點(diǎn)商城2022年1約19日消息,前段時(shí)間,臺(tái)積電公布了2022年的資本支出(400-440億美元),比業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)的380-420億美元還要高。2022年至2023年間,晶圓代工的資本密度將達(dá)到23%,為近二十年來(lái)的歷史新高。據(jù)臺(tái)積電表示,絕大部分的資本支出(約70%-80%)將用于7nm及以下的先進(jìn)工藝,10%的資本支出將用于先進(jìn)封裝,剩下的將用于專業(yè)技術(shù)研發(fā)。

從臺(tái)積電公布的資本支出高于外界的普遍預(yù)測(cè)來(lái)看,臺(tái)積電先進(jìn)制程工藝晶圓的需求是在增加的。這一點(diǎn)在先進(jìn)工藝的資本支出比例上也能看得出來(lái)。具體來(lái)看,臺(tái)積電資本支出將用在以下幾個(gè)方面:
1.臺(tái)南Fab18晶圓廠的P5-P8 產(chǎn)能提升,主要用于3nm、4nm和5nm等工藝;
2.亞利桑那州Fab21晶圓廠建設(shè),初期將主要生產(chǎn)5nm晶圓;
3.南京晶圓廠的加速建設(shè),主要為28nm晶圓;
4.臺(tái)灣地區(qū)新津晶圓廠建設(shè),初期主要生產(chǎn)2nm晶圓;
5.熊本晶圓廠開建,主要生產(chǎn)28/22nm晶圓;
6.高雄晶圓廠開建,初期主要生產(chǎn)7nm經(jīng)驗(yàn)。

臺(tái)積電的產(chǎn)能擴(kuò)建計(jì)劃主要包括3nm和2nm工藝、3D封裝和特定的成熟制程。其中,擴(kuò)建3nm/2nm主要是為了滿足數(shù)據(jù)中心增長(zhǎng)帶來(lái)的CPU/GPU需求增長(zhǎng),以及蘋果和英特爾在未來(lái)兩年內(nèi)的更大需求。預(yù)計(jì)從2023年開始,臺(tái)積電高性能計(jì)算(HPC)的產(chǎn)能需求將大幅增加,這也是臺(tái)積電擴(kuò)產(chǎn)3D封裝產(chǎn)能的原因。
鄂公網(wǎng)安備 42011502001385號(hào) 鄂ICP備2021012849號(hào)