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        頂點(diǎn)商城2022年1約19日消息，前段時(shí)間，臺(tái)積電公布了2022年的資本支出（400-440億美元），比業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)的380-420億美元還要高。2022年至2023年間，晶圓代工的資本密度將達(dá)到23%，為近二十年來(lái)的歷史新高。據(jù)臺(tái)積電表示，絕大部分的資本支出（約70%-80%）將用于7nm及以下的先進(jìn)工藝，10%的資本支出將用于先進(jìn)封裝，剩下的將用于專業(yè)技術(shù)研發(fā)。

        從臺(tái)積電公布的資本支出高于外界的普遍預(yù)測(cè)來(lái)看，臺(tái)積電先進(jìn)制程工藝晶圓的需求是在增加的。這一點(diǎn)在先進(jìn)工藝的資本支出比例上也能看得出來(lái)。具體來(lái)看，臺(tái)積電資本支出將用在以下幾個(gè)方面：

1.臺(tái)南Fab18晶圓廠的P5-P8 產(chǎn)能提升，主要用于3nm、4nm和5nm等工藝；

2.亞利桑那州Fab21晶圓廠建設(shè)，初期將主要生產(chǎn)5nm晶圓；

3.南京晶圓廠的加速建設(shè)，主要為28nm晶圓；

4.臺(tái)灣地區(qū)新津晶圓廠建設(shè)，初期主要生產(chǎn)2nm晶圓；

5.熊本晶圓廠開建，主要生產(chǎn)28/22nm晶圓；

6.高雄晶圓廠開建，初期主要生產(chǎn)7nm經(jīng)驗(yàn)。

        臺(tái)積電的產(chǎn)能擴(kuò)建計(jì)劃主要包括3nm和2nm工藝、3D封裝和特定的成熟制程。其中，擴(kuò)建3nm/2nm主要是為了滿足數(shù)據(jù)中心增長(zhǎng)帶來(lái)的CPU/GPU需求增長(zhǎng)，以及蘋果和英特爾在未來(lái)兩年內(nèi)的更大需求。預(yù)計(jì)從2023年開始，臺(tái)積電高性能計(jì)算（HPC）的產(chǎn)能需求將大幅增加，這也是臺(tái)積電擴(kuò)產(chǎn)3D封裝產(chǎn)能的原因。