常常有人將功率器件和功率半導體混為一談，其實功率半導體包括兩部分：功率器件和功率IC，其中功率器件是功率半導體分立器件的簡稱，而功率IC則是將功率半導體分立器件與驅動/控制/保護/接口/監測等外圍電路集成而來。
所有的功率半導體器件都具有處理高電壓、大電流的能力，主要用于有大功率處理需求的電力設備的電能變換和控制電路方面，比如：變頻、變壓、變流、功率管理，電壓處理范圍從幾十V到幾千V，電流能力最高可達幾千A。
早期的功率半導體是以分立器件的形式出現的，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并主要用于工業和電力系統，因此當年的功率半導體又被稱為電力電子器件。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發展。20世紀70年代末，平面型功率MOSFET發展起來。20世紀80年代后期，溝槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，此時二極管和晶閘管技術越來越成熟，附加值逐漸變低，國際大廠產能開始向以功率MOSFET、IGBT為代表的功率半導體器件迅速轉移，功率半導體正式進入電子應用時代。
截至目前，MOSFET和IGBT都還是最主要、價值含量最高、技術壁壘較高的功率器件。但近年來，不斷有機構預估以SiC、GaN為代表的第三代半導體材料將站上未來功率半導體主流舞臺。
目前Si材料在半導體行業中占據95%以上半導體器件和99%集成電路的體量，仍占主流。然而，隨著5G時代的到來，工業4.0和汽車電動化的繼續推進，對功率器件在開關頻率、散熱、抗壓性能等方面都提出了新的挑戰和要求，傳統Si功率器件瓶頸凸顯。
德州儀器高壓電源應用產品業務部氮化鎵功率器件產品線經理Steve Tom告訴與非網，“與現有Si器件，比如MOSFET或IGBT相比，GaN和SiC由于不同的物理特性，是具備更好開關性能的新型半導體材料。具體而言，GaN具有低得多的輸入和輸出電容以及顯著降低功耗的零反向恢復電荷。市場上要求更高效率和功率密度的應用正以極快的速度向GaN產品過渡。
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