頂點光電子商城2022年7月29消息：近日，安世半導體(中國)有限公司Nexperia宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信TrenchMOSFET，該產品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續航運行至關重要的情況下，可使電力更為持久。
新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿足了增加系統功耗的需求。
RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開關和電池管理效率。其卓越的性能還表現在自發熱降低，從而增強可穿戴設備的用戶舒適度。
具體而言，在VGS =4.5V時，PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分別為50mΩ和55mΩ。因此，在市場上類似的30V MOSFET中，PMCB60XN和PMCB60XNE單個芯片面積導通電阻最低。
此外，PMCB60XNE在集成于1.0mm ×0.6mm ×0.2mm的DSN1006小型外形中，還可提供額定2kV ESD保護（人體模型 – HBM）。這兩款MOSFET的額定漏極電流最高均可達4A。
除了采用DSN1006封裝的這兩款MOSFET外，Nexperia還推出了一款采用DSN1010封裝的12V N溝道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在VGS = 4.5 V時的最大RDS(on)為16mΩ，在0.96mm ×0.96mm ×0.24mm（SOT8007）尺寸下可具備市場領先的效率。
安世半導體(中國)有限公司于2000年01月28日成立。法定代表人容詩宗，公司經營范圍包括：研究、設計、開發和測試半導體技術軟件、集成電路、電子元配件和其他電子產品；生產和銷售半導體、新型電子元器件：片式元器件（微小型表面貼裝元器件：片式二極管、片式三極管）等。
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