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頂點(diǎn)光電子商城2022年8月8消息：近日，三星在2022全球閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit，F(xiàn)MS）上，推出了一系列下一代內(nèi)存和存儲(chǔ)技術(shù)。
在題為“Memory Innovations Navigating the Big Data Era”的主題演講中，三星重點(diǎn)介紹了推動(dòng)大數(shù)據(jù)市場進(jìn)步的四個(gè)技術(shù)領(lǐng)域，分別為數(shù)據(jù)移動(dòng)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)處理和數(shù)據(jù)管理，并展示了針對(duì)每一個(gè)領(lǐng)域的解決方案。
首先，三星宣布將推出下一代“PB級(jí)別”的存儲(chǔ)，新的解決方案將允許單個(gè)服務(wù)器單元打包超過1 PB的存儲(chǔ)空間，使得相同占地面積內(nèi)，以最少的服務(wù)器數(shù)量大幅度增加存儲(chǔ)容量，高服務(wù)器利用率也有助于降低功耗。
其次，三星推出了“Memory-Semantic SSD”，結(jié)合了存儲(chǔ)和DRAM優(yōu)勢，利用Compute Express Link（CXL）互連技術(shù)和內(nèi)置的DRAM緩存，Memory-Semantic SSD在AI和ML應(yīng)用程序中可以將隨機(jī)讀取和延遲的表現(xiàn)提高20倍，通過針對(duì)性的優(yōu)化，非常適合越來越多需要快速處理的較小數(shù)據(jù)集。
接著三星介紹了其遙測技術(shù)，可以從客戶SSD內(nèi)的關(guān)鍵組件收集可讀的元數(shù)據(jù)，以提前檢測和預(yù)防任何潛在的問題。三星表示，隨著SSD在數(shù)據(jù)中心更廣泛地采用，通過高級(jí)技術(shù)手段進(jìn)行更可靠、更高效的管理變得愈加重要。
最后，三星宣布今年5月份推出的業(yè)界首款UFS 4.0閃存解決方案計(jì)劃在本月進(jìn)入量產(chǎn)階段。作為全球主要的手機(jī)零部件供應(yīng)商，三星相信UFS 4.0閃存很快會(huì)出現(xiàn)在各個(gè)品牌的新一代旗艦手機(jī)上，之后還會(huì)用于汽車、AR和VR等應(yīng)用場景。三星還透露兩款企業(yè)級(jí)SSD已進(jìn)入量產(chǎn)階段，分別是PM1743和PM1653，前者是業(yè)界首款PCIe 5.0 SSD，后者是首款24G SAS SSD。此外，三星還強(qiáng)調(diào)了其SmartSSD 與CXL DRAM 產(chǎn)品線，目的是在于避免當(dāng)前閃存和儲(chǔ)存架構(gòu)中的瓶頸。
7月7日，三星電子正式公布第二季度財(cái)報(bào)。數(shù)據(jù)顯示，三星該季度銷售額為77萬億韓元(約合人民幣3957.8億元)，同比增長20.94%；營業(yè)利潤14.0萬億韓元（約合人民幣719.6億元），同比增長11%，此前市場預(yù)期為14.6萬億韓元。
今年下半年，由于三星宣布量產(chǎn)3nm工藝，三星的芯片業(yè)務(wù)應(yīng)該還有利潤增長點(diǎn)。三星量產(chǎn)的是基于GAA晶體管（Gate-All-Around FET，全環(huán)繞柵極）結(jié)構(gòu)的3nm工藝，放棄了之前的FinFET架構(gòu)。三星方面表示，該工藝功耗降低50%，性能提升30%，面積減少了35%，整體表現(xiàn)更好。
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