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三星加碼4納米進程,即將生產236層NAND內存

        頂點光電子商城2022年8月19消息:近日,三星在半導體制程工藝和NAND Flash閃存領域消息不斷。繼今年6月搶先宣布量產3納米工藝之后,市場又有消息稱三星計劃在第四季度擴產4納米制程。


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        欲從臺積電手上搶下更多高通、超微、英偉達等大廠晶圓代工訂單。預計今年第4季每月新增上看2萬片產能,并規劃在4納米豪擲約5萬億韓元投資。


        三星電子日前公開表示,第2季資本支出集中在韓國平澤P3廠區基礎設施以及華城、平澤,與大陸西安廠的工藝升級,對晶圓代工的投資則專注提高5納米以下先進制程生產能力。


   依據三星計劃,平澤P3新廠計劃5月至7月設備進廠,較原先提早約一個月,將先開出儲存型快閃服務器(NAND Flash)產能,后續規劃開出3納米晶圓代工產能。


       據報導,三星今年將發布236層堆疊NAND Flash快閃存儲器產品,還計劃本月開設一個新的研發中心,負責更先進NAND Flash產品研發。


        當前,存儲芯片制造商正在競相增加其產品層數。SK海力士最近完成了238層產品的開發,美光科技宣布開發出全球首款232層NAND閃存產品。


        三星,盡管其作為全球最大的NAND Flash廠商,目前市占率高達35%,但研發記錄還停留在176層。迫于競爭對手的壓力,三星計劃憑借生產技術、價格以及性能競爭力,將NAND Flash堆疊層數增加60層。


  不過,三星236層堆疊NAND Flash推出的具體時間,還有待后續關注。

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