頂點光電子商城2022年10月9日消息：近日，星電子在美國加州硅谷舉辦2022年三星科技日，會上三星首次推出了其第8代V-NAND（512Gb）。
三星的第8代V-NAND（512Gb）位密度提高了42%，在迄今為止的512Gb三級單元（TLC）內存產品中達到了業界最高的位密度。
三星表示，全球最高容量的1Tb TLC V-NAND將于今年年底向客戶提供。到 2027 年，HPC、汽車和 5G 芯片的比例將超過 50%，計劃瞄準高性能和低功耗的半導體市場，并將先進制程節點的產能擴大三倍以上。三星將增強其基于 GAA 的 3nm 工藝，用于 HPC 和移動設備的芯片；目前三星為汽車級芯片提供 28nm eNVM 解決方案，計劃 2024 年將推進到 14nm eNVM 解決方案，未來還會有 8nm eNVM 解決方案；射頻芯片方面，繼 14nm 工藝后，會有 8nm 工藝，5nm 工藝也在開發當中。
NAND方面，目前，三星電子正在量產第7代Vertical NAND（V-NAND）閃存，其第九代V-NAND正在開發中，還計劃從2024年開始量產第9代NAND閃存。
三星稱，到2030年，公司設想堆疊超過1000層，以更好地支持未來的數據密集型技術。
另外DRAM方面，三星電子正在量產第4代10nm級DRAM，而目前1b DRAM正在開發中，并計劃從2023年開始量產第5代10nm級（1b）DRAM。
為了克服DRAM擴展到10nm范圍以外的挑戰，三星表示，一直在開發圖案、材料和架構方面的顛覆性解決方案，高K材料等技術正在順利進行中。
活動最后，三星重申其提升客戶價值和追求以客戶為導向的發展理念的首要目標，進一步擴大其生態系統合作伙伴關系。為了刺激更廣泛的開放式創新，三星將開設三星內存研究中心 (SMRC)，客戶和合作伙伴可以在該中心在各種服務器環境中測試和驗證三星內存和軟件解決方案。從今年第四季度在韓國開設第一家 SMRC 開始，三星計劃隨后與紅帽和谷歌云等生態系統合作伙伴合作，在美國和世界各地推出更多的中心。
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