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頂點(diǎn)光電子商城2022年10月24日消息：近日，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)初步通線，首個(gè)SiC器件芯片已投片成功，首批投片產(chǎn)品各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)達(dá)到設(shè)計(jì)要求，項(xiàng)目取得了階段性進(jìn)展。
士蘭明鎵正在加快后續(xù)設(shè)備的安裝和調(diào)試，目標(biāo)是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸的6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。公司已完成第一代平面柵SiC-MOSFET隨著技術(shù)的發(fā)展，性能指標(biāo)已達(dá)到行業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平。公司已將公司提供。SiC-MOSFET芯片封裝在汽車主驅(qū)動(dòng)功率模塊上，參數(shù)指標(biāo)較好，繼續(xù)完成評(píng)估，即將向客戶送樣。
近年來(lái)，SiC功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能，這對(duì)電力電子行業(yè)的發(fā)展意義重大。與Si器件相比，SiC功率器件可以有效實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化。據(jù)了解，SiC功率器件的能量損耗只有Si器件的50%，發(fā)熱量只有Si器件的50%，且有更高的電流密度。在相同功率等級(jí)下，SiC功率模塊的體積顯著小于Si功率模塊,以智能功率模塊IPM為例，利用SiC功率器件，其模塊體積可縮小至Si功率模塊的1/3～2/3。
作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，SiC具有寬禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，是高溫、高壓、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體器件材料。在新能源汽車領(lǐng)域，SiC功率半導(dǎo)體主要用于驅(qū)動(dòng)和控制電機(jī)的逆變器、車載DC/DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器(OBC)等。車載充電器和充電樁使用SiC器件后將充分發(fā)揮高頻、高溫和高壓三方面的優(yōu)勢(shì)，可實(shí)現(xiàn)充電系統(tǒng)高效化、小型化和高可靠性。
SiC功率器件存在很多優(yōu)勢(shì)，未來(lái)發(fā)展空間也很大，士微蘭將加速推進(jìn)SiC生產(chǎn)線建設(shè)。
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