頂點光電子商城2022年11月11日消息：近日，2022國際集成電路展覽會暨研討會（IIC）在深圳盛大開啟。作為國內領先的存儲芯片設計企業，東芯半導體股份有限公司（以下簡稱“東芯半導體”）受邀參加本次展會，并攜產品重磅亮相。
會上，憑借卓越的技術創新實力及產品的高可靠性，東芯SPI NAND Flash產品（DS35X4GM-IB）一舉斬獲“2022全球國際電子成就獎之年度存儲器”的獎項。
DS35X4GM-IB，是東芯半導體2021年推出的4Gb SPI NAND Flash，完全擁有自主知識產權，是國內第一顆2xnm的SPI NAND Flash產品，其領先的工藝制程以及較大的容量，填補了市場空缺，使其作為公司新的拳頭產品，一推出就獲得廣泛關注。
該4Gb SPI NAND Flash(DS35X4GM-IB)為單芯片的串行通信方案，引腳少、封裝尺寸小，且在同一顆粒上集成了存儲陣列和控制器，內部集成了ECC糾錯模塊，使其在滿足數據傳輸效率的同時，節約了空間，簡化了客戶設計，提高了產品可靠性。該產品不但可運用在傳統的網絡通訊、消費電子等領域，更適合對容量有一定要求的高清視頻監控、5G基站及服務器市場。
隨著汽車電子、人工智能、5G、物聯網等新興領域的快速發展，對中小容量存儲芯片的需求隨之高漲，為東芯半導體這樣專注中小容量存儲芯片的企業創造了前所未有的發展機遇。
東芯半導體成立于2014年，聚焦于中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的設計、生產和銷售，是國內少數可以同時提供NAND、NOR、DRAM設計工藝和產品方案的本土存儲芯片研發設計公司。其自主設計研發并量產的24nm NAND、48nm NOR均為國內目前領先的NAND、NOR工藝制程，實現了閃存芯片技術的突破。
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