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頂點(diǎn)光電子商城1月12日消息：英諾賽科（Innoscience）成立于2015年，是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產(chǎn)業(yè)鏈模式，建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線。 是世界領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化平臺(tái)，是第三代半導(dǎo)體電力電子器件研發(fā)與生產(chǎn)的高科技企業(yè)。
今日，英諾賽科推出高集成半橋驅(qū)動(dòng)功率芯片：Solid GaN系列之100V半橋氮化鎵功率芯片新品—ISG3201。
半橋驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是通過(guò)功率管產(chǎn)生交流電觸發(fā)信號(hào)，從而產(chǎn)生大電流進(jìn)一步驅(qū)動(dòng)電機(jī)。與單片機(jī)驅(qū)動(dòng)不同的是，單片機(jī)驅(qū)動(dòng)能力有限，一般僅作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
ISG3201是一顆耐壓100V的半橋氮化鎵芯片，其內(nèi)部集成了2顆100V，導(dǎo)阻3.2mΩ的增強(qiáng)型氮化鎵和1顆100V半橋驅(qū)動(dòng)，憑借內(nèi)部集成驅(qū)動(dòng)器省去了外部鉗位電路，能夠顯著降低關(guān)聯(lián)的寄生參數(shù)；同時(shí)，該芯片還具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)PWM信號(hào)輸入，并支持TTL電平驅(qū)動(dòng)，可由專(zhuān)用控制器或通用MCU進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制。
ISG3201 產(chǎn)品特性有：高集成半橋驅(qū)動(dòng)：2顆100V增強(qiáng)型氮化鎵及1顆100V半橋驅(qū)動(dòng)；耐壓100V，導(dǎo)通電阻3.2mΩ；60A持續(xù)電流能力；零反向恢復(fù)；5*6.5*1.08 mm封裝。
ISG3201 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)有：支持100V高邊電壓；集成驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)化外圍電路；大幅降低柵極和功率回路寄生電感；減小占板面積73%（VS Si）；提升系統(tǒng)效率及功率密度；更大散熱面積，有效降低溫升。
氮化鎵的應(yīng)用前景廣闊，在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車(chē)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以及新能源發(fā)電與儲(chǔ)能等領(lǐng)域有巨大的潛力，有望推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)的變革。
ISG3201廣泛應(yīng)用于48V電源轉(zhuǎn)換：服務(wù)器、中型散貨箱模塊、鋁卡、48V混合動(dòng)力電動(dòng)車(chē)；48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)：伺服系統(tǒng)、電動(dòng)工具、真空清洗、機(jī)器人、電動(dòng)汽車(chē)；新能源：微型光伏逆變器、光伏優(yōu)化器；音頻PA：D類(lèi)音頻等。有效提升系統(tǒng)效率、降低系統(tǒng)能耗。
英諾賽科是躋身全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)第一梯隊(duì)的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)代表，是硅基氮化鎵領(lǐng)域全球龍頭。英諾賽科通過(guò)自主研發(fā)，攻克了8英寸硅晶圓襯底上外延生長(zhǎng)氮化鎵單晶材料的世界級(jí)難題，英諾賽科8英寸晶圓產(chǎn)線于2019年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)，2021年，該公司成為全球最大的8英寸硅基GaN量產(chǎn)的企業(yè)。為了能更快推動(dòng)氮化鎵產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，英諾賽科在制造工藝、產(chǎn)品方案等環(huán)節(jié)上做了很多優(yōu)化，讓氮化鎵應(yīng)用到更多終端領(lǐng)域；可以看到除了在消費(fèi)電子領(lǐng)域的路越走越寬，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心、可再生新能源、汽車(chē)等領(lǐng)域的應(yīng)用已經(jīng)形成了多點(diǎn)開(kāi)花的局面。
近日，英諾賽科INN040W048A 功率芯片被評(píng)為第十七屆 " 中國(guó)芯 " 優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品。
目前，英諾賽科是全球唯一實(shí)現(xiàn)同時(shí)量產(chǎn)氮化鎵高、低壓芯片的半導(dǎo)體企業(yè)，ISG3201的發(fā)布，推進(jìn)了英諾賽科在氮化鎵方面的發(fā)展。未來(lái)，英諾賽科將持續(xù)創(chuàng)新，進(jìn)一步拓寬氮化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體行業(yè)生態(tài)鏈建設(shè)。
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