頂點光電子商城2月7日消息：近日，宜普公司發布新品氮化鎵芯片EPC2218。
氮化鎵是由氮元素和鎵元素組成的一種化合物半導體材料。氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等，因為禁帶寬度大于 2.2eV 統稱為寬禁帶半導體材料，在國內也稱為第三代半導體材料。
EPC2218尺寸為 3.5 mm x 1.95 mm，是一顆耐壓為 100V，導阻 3.2m Ω 的增強型氮化鎵開關管。可應用在 DC/DC 轉換器、無刷直流電機驅動器、面向 AC/DC 及 DC/DC 應用的同步整流、光學遙感技術、脈沖式功率應用、負載點（POL）轉換器、D 類音頻放大器、發光二極管照明等領域上。
另外，EPC2218擁有超快的開關頻率、超高的效率和更少的占板面積，可以實現更高功率密度的電源轉換。這是源自產品自帶的低傳導及低開關損、低驅動功率、零反向恢復損耗的特性。
隨著成本的下降，GaN有望在中低功率領域替代二極管、IGBT、MOSFET等硅基功率器件。以電壓來分，0-300V是Si材料占據優勢，600V以上是SiC占據優勢，300V-600V之間則是GaN材料的優勢領域。根據Yole統計，GaN器件可以適用于68%的功率器件市場。
在應用領域中領域，半導體照明行業發展最為迅速，已形成百億美元的產業規模。
在電力電子領域，寬禁帶半導體的應用剛剛起步，市場規模僅為幾億美元。由于GaN材料電子漂移飽和速度高，擊穿場強大，目前硅基GaN功率器件具有高反向關斷電壓、更高的工作頻率和更低的導通電阻等特性，可使電源做的更小，效率更高，更高的功率密度。
在節能領域中應用最多就是功率器件，絕大多數電子產品都會使用到一顆或多顆功率器件產品。數據顯示，寬禁帶半導體芯片可以消除整流器在進行交直流轉換時90%的能量損失，還可以使筆記本電源適配器體積縮小80%。在開關電源、電動汽車、光伏發電、UPS、數據中心、無線充電，芯片處理器等應用具有非常好的前景。
在射頻微波領域，GaN熔點在1700℃，頻率目前可達到25G，功率達到1800w，在航空航天，微波雷達，衛星通信，5G通信有非常大的優勢。
在激光器方面，GaN基激光器可以覆蓋到很寬的頻譜范圍，實現藍、綠、紫外激光器和紫外探測的制造。
在探測器方面，GaN基紫外探測器可用于導彈預警、衛星秘密通信、各種環境監測、化學生物探測等領域，但尚未實現產業化。
宜普電源轉換公司（EPC）是基于氮化鎵（GaN）功率管理技術的領導供應商，公司不僅僅致力于提高電力效率，更利用氮化鎵技術推動了五年前不可能實現的并顯著提升生活的全新應用。由于多種應用例如從無線電源傳送、全自動汽車以至高速移動通信、低成本衛星及醫療護理應用都不斷蛻變，因此氮化鎵技術成為勇于革新、持續前進和渴望保持行業領先地位的公司的首選技術。
氮化鎵芯片的發展前景會越來越好，宜普公司的新品EPC2218氮化鎵芯片的發布，加快了氮化鎵技術的普及，讓更多的人享受到氮化鎵技術的好處，助力氮化鎵市場的繁榮發展。
鄂公網安備 42011502001385號 鄂ICP備2021012849號 
