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      頂點光電子商城2月24日消息：近日，英諾賽科推出了多款高性能氮化鎵芯片。

         半橋氮化鎵功率芯片通過將氮化鎵開關管和驅動器集成，具有更小的封裝面積，更強的散熱性能和更高的功率密度，能夠滿足48V大功率系統的應用，如高性能計算機，服務器，太陽能逆變器，電機驅動，數字音頻以及電動汽車應用。

         英諾賽科推出的INN100W032A是一顆耐壓100V，導通電阻3.2mΩ的增強型氮化鎵芯片，連續電流60A，脈沖電流可達230A，能夠適應-40℃到150℃工作環境，零反向恢復電荷。采用WLCSP 3.5mmx2.1mm封裝，體積小巧，能夠極大節省占板面積。INN100W032A在同步整流、Class D功放、高頻DC-DC模塊電源及電機驅動等應用場景中，能夠有效地提高工作頻率和效率。

INN100W027A是一顆耐壓100V，導通電阻2.7mΩ的增強型氮化鎵芯片，連續電流64A. 脈沖電流可達320A，能夠適應-40℃到150℃工作環境，零反向恢復電荷。采用WLCSP 4.45mmx2.3mm封裝。INN100W027A 是InnoGaN 100V系列導通電阻最小的一顆，非常適合應用在高功率密度的模塊電源，也適合在大功率的Class D功放和電機驅動等場合。

         英諾賽科是全球領先的氮化鎵芯片研發與制造的IDM企業，擁有全球最大規模的8英寸硅基氮化鎵晶圓廠和先進的氮化鎵制程工藝。目前英諾賽科已經發布和銷售多款氮化鎵功率器件，覆蓋30V到700V電壓范圍，產品的各項性能指標均達到國際先進水平，已經在快充、通信、LED、人工智能、自動駕駛、數據中心、儲能等多個新興領域中得到應用。