近日，有消息稱，三星將于今年上半年開始量產第三代4納米芯片，將穩定制程早期階段的良率問題，以及提升性能、功耗和做出面積改進。
三星近日發布的財報顯示，三星將于今年上半年開始量產采用4納米2.3代工藝的芯片。這是三星電子首次提及4納米后續版本的具體量產時間。與4納米芯片的早期版本SF4E相比，第二代和第三代產品表現出更好的性能、更低的功耗和更小的面積。
三星于去年6月底正式宣布，開始初步生產基于3nm全環繞柵極（Gate-All-AroundT,簡稱GAA）制程工藝節點的芯片，首先將應用于高性能、低功耗計算領域的半導體芯片，并計劃將其擴大至移動處理器領域。
與三星5nm工藝相比，三星第一代3nm工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%；三星表示，未來第二代3nm工藝將使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少35%。
目前最先進的半導體工藝技術是3納米，但主要產品還是4納米和5納米芯片。根據市場研究公司Counterpoint Research的數據，截至去年第三季度，4納米和5納米工藝占銷售額的22%，超過了6納米和7納米工藝的16%和16、14和12納米工藝的11%。
在3納米方面，半導體行業分析師和專家估計，目前臺積電的N3良率可能在60%~70%，最高在75%~80%，第一批的成績還算不錯。相比之下，三星代工廠的3GAE良率在早期階段從10%~20%不等，廢片率高。
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