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        近日，英諾賽科推出了采用TO252 / TO220封裝的氮化鎵新品，并將其應(yīng)用在120W 雙面板適配器方案中，將高效率、高功率密度和高性價(jià)比三項(xiàng)特性發(fā)揮到極致。

         該新品尺寸：56mm*46mm*20mm；效率：94.6%@230Vac（without NTC）；功率密度：38W/in^3InnGaN、INN700TK240A（TO252）、INN700TJ240A（TO220F）；拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：Flyback （CCM @90Vac / QR）。

         另外，采用TO封裝，效率達(dá)94.6%。

        氮化鎵是一種第三代半導(dǎo)體材料，目前第三代半導(dǎo)體材料主要以 siC 和 GaN 為主，相比前者，GaN 材料在電子飽和遷移速度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)和工作溫度等方面更具優(yōu)勢(shì)。而在 5G 時(shí)代，由于信號(hào)頻率增高，電子器件需要向大功率、高頻、小型化轉(zhuǎn)變，氮化稼材料做成的功率器件正好契合這一趨勢(shì)，也因此，被市場(chǎng)認(rèn)為是替代 sic 最好的材料。

          氮化鎵(GaN) 憑借高頻低阻、高導(dǎo)熱、耐高溫等優(yōu)勢(shì)，成為電子器件和射頻器件的潛在替換材料。

         英諾賽科是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產(chǎn)業(yè)鏈模式，建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線。 公司核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)由眾多資深的國(guó)際一流半導(dǎo)體專家組成。