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          近日，英諾賽科表示業務同比2021年增長了300%，8英寸硅基GaN器件出貨量已突破1億顆。

           值得注意的是，2023年出貨量增勢迅猛，Q1就已經突破了5000萬顆（累計超1.5億顆），銷售額達1.5億，是去年同期的4倍。這意味著，無論從出貨量還是銷售收入來看，今年英諾賽科不僅延續了2022年持續增長的態勢，還實現了更為強勁的增長。

          GaN器件目前被稱為HEMT (High Electron Mobility Transistors)，這種高電子遷移率的晶體管用于許多電子設備中，例如全控型電力開關，高頻的放大器或振蕩器。

           另外，在電動汽車應用領域，英諾賽科珠海工廠已通過汽車認證，預計將在2024年生產用于汽車應用的8英寸硅基GaN器件。目前，珠海工廠GaN晶圓月產能為4000片，到2025年，珠海和蘇州兩大基地的月產能預計可達70000片左右。

           接下來，隨著GaN技術逐步打開電動汽車、光伏儲能、智能電網、工業電源等領域的應用空間，英諾賽科將在產能規模、客戶群不斷擴大的基礎上，進一步提升產品銷量和市場占有率。