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鎧俠/西數將解讀3D NAND新技術

          近日,有消息稱,鎧俠和西部數據計劃在2023年6月舉行的VLSI技術和電路研討會上展示3D NAND技術創新。


          鎧俠在即將發表的C2-1論文種介紹了一種8平面的1Tb 3D TLC NAND,擁有210層的堆疊數和3.2GT/s的I/O傳速。


          這與鎧俠/西數推出的218層1Tb 3D TLC NAND非常相似,具備17Gb/mm2密度和3.2GT/s I/O總線,但它是8平面而不是4平面,并且據說可提供205MB/s的吞吐量以及40μs的讀取延遲。


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           除了研究8平面的3D NAND結構外,研究人員還將提交關于300層3D NAND的論文(T7-1),文中表示,為實現這一目標,兩家公司計劃采用金屬誘導橫向結晶(MILC)技術。


           通過MILC技術,在超過300層的垂直存儲孔中,形成14微米長的類通心粉硅通道。據報道,這種實驗性3D NAND還利用尖端的吸鎳方法消除硅材料中的雜質和缺陷,從而提高單元陣列性能。


         此前,鎧俠和西部數據發布最新3D閃存,218層的3D閃存采用創新的橫向微縮技術,為4平面(Plane)的1Tb三層存儲單元(TLC)和四層存儲單元(QLC),帶來超過50%的位密度提升。其高速NAND I/O速度超過3.2GB/s,比上一代產品提高了60%,同時在寫入性能和讀延遲方面的改善超過了20%,將加速用戶的整體性能、可用性。


          鎧俠是全球存儲器解決方案領導者,致力于開發、生產和銷售閃存及固態硬盤(SSD)。東芝公司于1987年發明了NAND閃存,在2017年4月鎧俠前身東芝存儲器集團從東芝公司剝離。鎧俠致力于通過提供產品、服務和系統,為客戶創造選擇,為社會創造基于存儲器的價值,從而通過存儲器促進社會發展。鎧俠創新的3D閃存技術BiCS FLASH?,正在塑造諸多高密度應用的未來存儲方式,其中包括高級智能手機、PC、SSD、汽車和數據中心等。

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