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           頂點(diǎn)光電子商城7月24日消息：近日，全球半導(dǎo)體制造商羅姆開發(fā)出EcoGaNTM Power Stage IC “BM3G0xxMUX-LB”，面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源。

           新產(chǎn)品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能夠更大程度地激發(fā)出GaN HEMT性能的專用柵極驅(qū)動(dòng)器、新增功能以及外圍元器件。功耗方面，與現(xiàn)有的Si MOSFET相比，新產(chǎn)品器件體積可減少約99%，功率損耗可降低約55%，有助于減少服務(wù)器和AC適配器的體積或損耗。

           在外形上，新產(chǎn)品為VQFN封裝，8x8mm，厚度是1毫米的IC，一體化的封裝。在元器件數(shù)量上，普通產(chǎn)品是9個(gè)相關(guān)元器件，而羅姆新產(chǎn)品將驅(qū)動(dòng)方式進(jìn)一步簡(jiǎn)化，外置Power Stage相關(guān)元器件只需1個(gè)，有助于應(yīng)用產(chǎn)品的小型化。

           在電壓方面， 新產(chǎn)品支持更寬的驅(qū)動(dòng)電壓范圍(2.5V~30V)，擁有支持一次側(cè)電源各種控制器IC的性能，因此可以替換現(xiàn)有的Si MOSFET。目前，新產(chǎn)品有兩款，分別是BM3G007MUV-LB、BM3G015MUV-LB，導(dǎo)通電阻分別是70毫歐和150毫歐。

            此外，還備有三款評(píng)估板，一款是BM3G007MUV-EVK-002，用來評(píng)估芯片的整體方案性能，另外兩款BM3G007MUV-EVK-003和BM3G015MUV-EVK-003，可移植到客戶現(xiàn)有方案進(jìn)行測(cè)試。