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頂點(diǎn)光電子商城7月28日消息：近日，美光科技宣布，已開始送樣其首款8-high 24GB HBM3 Gen2內(nèi)存產(chǎn)品。
美光HBM3 Gen2內(nèi)存具有 1.2 TB/s 的聚合帶寬和最高容量的 8 高堆棧 24GB的容量（為業(yè)界首款），與其他8高HBM3內(nèi)存相比，容量增加了50%，工藝方面采用了1β (1-beta) 制造工藝制造，每瓦性能提高了2.5倍。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商之一。通過(guò)全球化的運(yùn)營(yíng)，美光公司制造并向市場(chǎng)推出DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導(dǎo)體組件以及存儲(chǔ)器模塊，用于前沿計(jì)算、消費(fèi)品、網(wǎng)絡(luò)和移動(dòng)便攜產(chǎn)品。
此外，美光還在準(zhǔn)備12層垂直堆疊的單品36GB DRAM芯片，與現(xiàn)有的競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，在給定的堆棧高度下，美光提供的容量增加了50%。
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