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美光已開始送樣24GB HBM3 Gen2內(nèi)存產(chǎn)品

           頂點(diǎn)光電子商城7月28日消息:近日,美光科技宣布,已開始送樣其首款8-high 24GB HBM3 Gen2內(nèi)存產(chǎn)品。


           美光HBM3 Gen2內(nèi)存具有 1.2 TB/s 的聚合帶寬和最高容量的 8 高堆棧 24GB的容量(為業(yè)界首款),與其他8高HBM3內(nèi)存相比,容量增加了50%,工藝方面采用了1β (1-beta) 制造工藝制造,每瓦性能提高了2.5倍。


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         美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)是高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商之一。通過(guò)全球化的運(yùn)營(yíng),美光公司制造并向市場(chǎng)推出DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導(dǎo)體組件以及存儲(chǔ)器模塊,用于前沿計(jì)算、消費(fèi)品、網(wǎng)絡(luò)和移動(dòng)便攜產(chǎn)品。


          此外,美光還在準(zhǔn)備12層垂直堆疊的單品36GB DRAM芯片,與現(xiàn)有的競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比,在給定的堆棧高度下,美光提供的容量增加了50%。

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