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           近日，意法半導體官微宣布，公司最近已開始量產能夠簡化高效功率轉換系統設計的增強模式PowerGaN HEMT（高電子遷移率晶體管）器件。

           高電子遷移率晶體管是一種特殊類型的場效應晶體管（FET），在射頻（RF）和微波應用中具有重要作用。它的特點是能夠提供高速、高頻的性能，并且在低功耗下表現出色。

          HEMT通常由兩個不同材料的半導體層疊而成，其中一個層是高遷移率的電子通道，另一個層則具有較大的帶隙。這種結構有助于提高電子遷移率，從而實現較高的電流飽和速度。

           據悉，STPOWER? GaN晶體管是基于氮化鎵(GaN)的高效晶體管，提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統、工業電源、可再生能源發電、汽車電氣化等應用的性能。

           意法半導體的G-HEMT器件將加速功率轉換系統向GaN寬帶隙技術過渡。意法半導體表示，未來，GaN還有望實現新的功率轉換拓撲結構，進一步提高能效，并降低功耗。

           HEMT作為一種特殊類型的晶體管，在射頻和微波領域具有廣泛的應用。隨著無線通信和高頻技術的不斷發展，HEMT可能會繼續在這些領域發揮重要作用。

          接下來，意法半導體還將推出新款PowerGaN產品，即車規器件，以及更多的功率封裝形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封裝。