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          頂點(diǎn)光電子商城2024年10月31日消息：三星作為全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商，一直在致力于提高存儲(chǔ)芯片的容量和性能。隨著人工智能（AI）的快速發(fā)展，對(duì)大容量、高性能存儲(chǔ)設(shè)備的需求日益增加，三星計(jì)劃通過(guò)推出400層V10 NAND閃存來(lái)滿足這一市場(chǎng)需求。

           三星計(jì)劃推出的400層V10 NAND閃存，堆疊層數(shù)遠(yuǎn)超當(dāng)前市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品，將大幅提升存儲(chǔ)容量。在V10 NAND中，三星計(jì)劃采用創(chuàng)新的鍵合技術(shù)，將存儲(chǔ)單元和外圍設(shè)備分別在不同的晶圓上制造，然后進(jìn)行鍵合。這種方法將解決堆疊過(guò)程中對(duì)外圍設(shè)備的損壞問(wèn)題，并實(shí)現(xiàn)更高的位密度和出色的散熱性能。據(jù)三星稱，這種創(chuàng)新的BV NAND（鍵合垂直NAND閃存）可將單位面積的比特密度提高1.6倍，是AI數(shù)據(jù)中心使用的超大容量固態(tài)硬盤(pán)（SSD）的理想選擇。

           三星計(jì)劃將400層V10 NAND閃存用于AI服務(wù)器，以滿足AI應(yīng)用對(duì)大容量、高性能存儲(chǔ)設(shè)備的需求。除了AI服務(wù)器外，這種高性能的NAND閃存還可用于智能手機(jī)、U盤(pán)等其他需要大容量存儲(chǔ)的設(shè)備中。

          三星目前批量生產(chǎn)286層大容量V9 NAND閃存芯片，并計(jì)劃在2026年推出400層V10 NAND閃存。三星計(jì)劃在2027年推出V11 NAND，預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)傳輸速度將提高50%。三星的目標(biāo)是到2030年開(kāi)發(fā)出超過(guò)1000層的NAND芯片，以進(jìn)一步提高密度和存儲(chǔ)能力。

          目前存儲(chǔ)行業(yè)已進(jìn)入“層層堆疊”的激烈競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中，三星的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手包括了SK海力士和鎧俠等。其中SK海力士也在開(kāi)發(fā)400層的NAND閃存，目標(biāo)是在2025年年底做好大規(guī)模生產(chǎn)的準(zhǔn)備。堆疊層數(shù)的增加會(huì)帶來(lái)一系列技術(shù)挑戰(zhàn)，如如何保證堆疊過(guò)程中的穩(wěn)定性和可靠性、如何優(yōu)化存儲(chǔ)單元的性能等。三星需要不斷投入研發(fā)資源，攻克這些技術(shù)難題。

            綜上所述，三星計(jì)劃2026年推出400層V10 NAND閃存是一個(gè)具有前瞻性和挑戰(zhàn)性的計(jì)劃。通過(guò)采用創(chuàng)新的鍵合技術(shù)和不斷優(yōu)化存儲(chǔ)單元的性能，三星有望在這一領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位，并滿足市場(chǎng)對(duì)大容量、高性能存儲(chǔ)設(shè)備的需求。