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        頂點(diǎn)光電子商城2024年12月11日消息：近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide（UnitedSiC）。

         隨著電動(dòng)汽車、人工智能等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對(duì)高能效、高功率密度的半導(dǎo)體器件需求日益增加。SiC JFET作為新一代功率半導(dǎo)體器件，具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)潛力。

          此次收購(gòu)將補(bǔ)充安森美廣泛的EliteSiC功率產(chǎn)品組合，使其能夠更全面地滿足市場(chǎng)需求。安森美正在積極拓展其產(chǎn)品線，從汽車領(lǐng)域向工業(yè)和人工智能數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域拓展。此次收購(gòu)將有助于其在新興市場(chǎng)中占據(jù)有利地位。

          通過(guò)收購(gòu)，安森美將獲得Qorvo領(lǐng)先的SiC JFET技術(shù)，進(jìn)一步提升其產(chǎn)品性能和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。此次收購(gòu)將加速安森美在電動(dòng)汽車電池?cái)嗦菲骱凸虘B(tài)斷路器（SSCB）等新興市場(chǎng)的部署，為其帶來(lái)新的增長(zhǎng)點(diǎn)。SiC JFET具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)，能夠顯著降低系統(tǒng)能耗和成本，為客戶提供更高效、更可靠的解決方案。

         安森美將繼續(xù)加大在SiC等先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)投入，推動(dòng)產(chǎn)品不斷創(chuàng)新和升級(jí)。安森美將積極拓展其在新興市場(chǎng)的份額，加強(qiáng)與客戶的合作和溝通，共同推動(dòng)行業(yè)發(fā)展和進(jìn)步。安森美將致力于實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)，通過(guò)提供高效、環(huán)保的半導(dǎo)體解決方案，為全球能源轉(zhuǎn)型和環(huán)境保護(hù)做出貢獻(xiàn)。

         綜上所述，安森美斥資1.15億美元收購(gòu)Qorvo旗下SiC JFET技術(shù)是一項(xiàng)具有戰(zhàn)略意義的舉措，將有助于其在新興市場(chǎng)中占據(jù)有利地位并提升整體競(jìng)爭(zhēng)力。