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          頂點光電子商城2024年12月18日消息：近日，長飛先進武漢基地項目舉行首批設備搬入儀式，標志著長飛先進武漢基地即將邁入工藝驗證新階段，全面投產正式進入倒計時。本次搬入的設備涵蓋芯片制造各個環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等，較原定設備搬入時間大幅提前。

           長飛先進武漢基地項目正加快推進建設并對設備進行安裝調試，預計2025年5月實現(xiàn)量產通線。SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢。全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢預測，到2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達到91.7億美元。

           該項目是武漢新城誕生的第一個項目，致力于打造一個集芯片設計、制造及先進技術研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導體制造基地。項目的成功實施將有力推動國內化合物半導體產業(yè)的發(fā)展，提升我國在第三代半導體功率器件領域的自主研發(fā)和生產能力。

           總之，長飛先進武漢基地SiC項目作為總投資超過200億元的重大項目，在建設進展上取得了顯著成果，首批設備的成功搬入標志著項目即將邁入工藝驗證新階段。未來，隨著項目的持續(xù)推進和量產計劃的實現(xiàn)，將為我國在第三代半導體功率器件領域的發(fā)展注入新的動力。