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        頂點光電子商城2024年12月26日消息：近日，碳化硅大廠安森美不僅購買了位于美國德威特的一家空置芯片制造廠，還收購了Qorvo的SiC JFET技術業務及其子公司United Silicon Carbide。

         安森美半導體公司以2000萬美元的價格購買了位于德威特的一家空置芯片制造廠。該廠由紐約州斥資1億美元建造，但之前的兩家租戶卻相繼倒閉。該芯片制造廠由紐約州立大學理工學院旗下的Fort Schuyler管理公司建造，原本打算出租給Soraa Inc.，但Soraa于2017年退出了交易。之后，帝國開發公司將其出租給了總部位于加利福尼亞州圣克拉拉的初創公司NexGen，但NexGen也在去年圣誕節前不久關閉并申請破產。安森美計劃在該工廠雇用多達100名員工來制造半導體元件，包括氮化鎵基半導體。該公司已告知州政府官員其招聘計劃，并正在積極招聘技術人員和工程師。

         安森美半導體公司與Qorvo達成協議，以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）技術業務及其子公司United Silicon Carbide（UnitedSiC）。SiC JFET是一種重要的功率半導體器件，具有低導通電阻和高熱性能的優勢，適用于需要快速響應和高可靠性的電路保護應用。此外，SiC JFET還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現成驅動器，這進一步簡化了設計和集成過程。

         此次收購將使安森美進一步鞏固其在碳化硅（SiC）領域的市場地位，并加強其在電動汽車、工業電源和可再生能源等高增長市場的競爭力。安森美表示，此次收購將補足其EliteSiC電源產品組合，使其能夠更好地滿足AI數據中心電源單元AC-DC階段對于高能效和功率密度的迫切需求。同時，這次收購也將為安森美半導體在電動汽車電池斷路器、固態斷路器（SSCB）等新興市場中的布局提供有力支持。

          據估算，這次收購有望在五年內為安森美半導體帶來高達13億美元的市場機會。展望未來，SiC技術將與IGBT展開日益激烈的競爭，并有望最終占據主導地位。