頂點光電子商城2025年1月6日消息：據報道，三星設備解決方案（DS）部門的內存業務部最近完成了HBM4高頻寬內存邏輯芯片的設計。這一設計標志著三星在HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器）技術上的又一次重要突破。為了制造這款邏輯芯片，三星選擇了自家的4納米制程技術，這一技術能夠提供更小的線寬和更高的晶體管密度，從而實現更高的集成度和更強大的性能。
HBM4將DRAM Base Die改成了Logic Base Die（邏輯基礎裸片），這一改變有助于推動性能和能效的進一步提升。Logic Base Die位于DRAM的底部，主要充當GPU和內存之間的一種控制器。與之前的Base Die不同，Logic Base Die可以讓客戶自行設計，并加入客戶自己的IP，這有利于HBM實現定制化，從而讓數據處理更為高效。
4納米制程工藝的使用使得芯片能夠擁有更快的運算速度、更低的功耗和更高的能效。此外，4納米芯片還可以提供更好的散熱性能和更小的體積，這對于高性能計算和人工智能等領域的應用尤為重要。HBM4有望采用16層堆疊導入無凸塊混合鍵合技術，這能夠進一步縮小芯片尺寸并提高性能。混合鍵合是一種通過銅堆疊芯片的工藝，無需使用傳統方式連接芯片的“凸塊”，從而提高了芯片的連接密度和可靠性。
隨著人工智能、高性能計算和圖形處理等領域的快速發展，對高帶寬存儲器的需求日益增加。HBM4作為最新一代的高帶寬存儲器，具有廣闊的市場前景。
三星HBM4可能被用于微軟此前發布的AI芯片“Maia 100”以及Meta的Artemis AI芯片中。這對于正急于開拓AI市場、縮小與SK海力士之間差距的三星來說是一個好消息。此外，特斯拉也在尋求獲得即將推出的HBM4內存芯片的樣品，以加快其“全自動駕駛”神經網絡的訓練速度。
三星試圖在HBM4上采取更積極的路線，以挽回HBM3E流失的HBM市場占有率。通過采用先進的4納米制程技術和提供定制化的Logic Base Die，三星旨在滿足客戶的多樣化需求。
目前，三星和SK海力士是全球主要的HBM供應商。隨著HBM4技術的推出，兩家公司之間的競爭將更加激烈。SK海力士正在與臺積電實施戰略捆綁，靠臺積電的5納米工藝推動HBM4的Base die設計制造。而三星則依靠自家的4納米制程技術取得了領先。然而，最終的競爭結果將取決于產品的性能、功耗、成本以及客戶的接受程度。
綜上所述，三星完成HBM4邏輯芯片設計并采用自家4納米制程技術標志著三星在HBM技術上的又一次重要突破。這一技術突破將有助于三星滿足市場對高帶寬存儲器的需求，并在競爭中保持領先地位。
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