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頂點(diǎn)光電子商城2025年2月14日消息：近日，上海維安半導(dǎo)體有限公司近日取得一項(xiàng)名為“一種低鉗位內(nèi)嵌降容二極管的新型可控硅器件”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN111092117B，授權(quán)公告日為2024年12月31日，申請(qǐng)日為2020年02月21日。
該專利涉及半導(dǎo)體元器件設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種內(nèi)嵌降容二極管的新型可控硅器件。該器件包括可控硅模塊和二極管模塊，兩者均形成于硅襯底的異質(zhì)外延層上，并分別采用深槽DTI隔離。該專利產(chǎn)品的技術(shù)特點(diǎn)在于：解決了集成二極管的可控硅器件鉗位電壓高的問題，獲得了一種在同等面積和同等電容下，鉗位電壓更低的器件。可控硅模塊與二極管模塊的特定結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和摻雜方式，使得器件具有更低的鉗位電壓和電容特性。
該專利產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于需要低鉗位電壓和低電容特性的電子電路中，特別是在對(duì)器件性能和穩(wěn)定性要求較高的領(lǐng)域，如電力電子、通信、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域。其優(yōu)越的性能有望為相關(guān)領(lǐng)域的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)提供新的解決方案和選擇。
綜上所述，維安半導(dǎo)體的“一種低鉗位內(nèi)嵌降容二極管的新型可控硅器件”專利是一項(xiàng)具有創(chuàng)新性和實(shí)用價(jià)值的實(shí)用新型專利，其獲得授權(quán)標(biāo)志著該公司在半導(dǎo)體元器件設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域取得了新的突破。
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