頂點(diǎn)光電子商城2025年2月25日消息：英特爾在加利福尼亞州圣何塞舉行的會議上宣布，首批兩臺ASML High-NA EUV（極紫外光刻）設(shè)備已在其晶圓廠投產(chǎn)。這兩臺設(shè)備的投產(chǎn)標(biāo)志著英特爾在先進(jìn)制程技術(shù)方面的重要進(jìn)展，有助于其重返技術(shù)領(lǐng)先地位。High-NA EUV設(shè)備具有更高的分辨率和成像質(zhì)量，能夠制造更小、更快的計(jì)算芯片，滿足市場對高性能芯片的需求。
與之前的EUV設(shè)備相比，High-NA EUV設(shè)備的可靠性大約是上一代的兩倍。這意味著英特爾能夠以更穩(wěn)定的速度生產(chǎn)晶圓，提高生產(chǎn)效率。High-NA EUV設(shè)備使用光束將特征打印到芯片上，能夠以更少的曝光次數(shù)完成與早期設(shè)備相同的工作。這有助于節(jié)省時(shí)間和成本，提高整體制造效率。據(jù)報(bào)道，High-NA EUV設(shè)備的分辨率為8nm，可以實(shí)現(xiàn)比現(xiàn)有EUV光刻機(jī)小1.7倍物理特征的微縮，單次曝光的晶體管密度提高2.9倍。這將進(jìn)一步推動(dòng)芯片制造技術(shù)的進(jìn)步。
在一個(gè)季度內(nèi)，英特爾利用這兩臺High-NA EUV設(shè)備生產(chǎn)了3萬片晶圓。這些晶圓可以生產(chǎn)數(shù)千個(gè)計(jì)算芯片，滿足市場需求。英特爾計(jì)劃使用High-NA EUV設(shè)備來協(xié)助開發(fā)其所謂的18A制程技術(shù)。該技術(shù)預(yù)計(jì)將于今年稍晚時(shí)隨著新一代PC芯片的量產(chǎn)而推出。此外，英特爾還計(jì)劃在下一代的14A制程中全面導(dǎo)入High-NA EUV設(shè)備來進(jìn)行生產(chǎn)。盡管尚未公布具體的量產(chǎn)時(shí)間，但這一計(jì)劃顯示了英特爾對High-NA EUV設(shè)備的信心和期待。
盡管High-NA EUV設(shè)備具有諸多優(yōu)勢，但其高昂的成本也引發(fā)了爭議。據(jù)報(bào)道，每臺High-NA EUV設(shè)備的售價(jià)高達(dá)約3.5億美元（約合人民幣25.4億元），遠(yuǎn)高于ASML標(biāo)準(zhǔn)EUV系列的售價(jià)。一些專家表示，英特爾搶用High-NA EUV設(shè)備可能會面臨虧損擴(kuò)大的窘境。然而，英特爾首席執(zhí)行官帕特·基辛格認(rèn)為，在采用EUV設(shè)備后，英特爾在價(jià)格、性能方面都很有競爭力。
綜上所述，英特爾首批兩臺High-NA EUV設(shè)備的投產(chǎn)標(biāo)志著其在先進(jìn)制程技術(shù)方面的重要進(jìn)展。盡管面臨高昂的成本挑戰(zhàn)，但英特爾對High-NA EUV設(shè)備的信心和期待仍然堅(jiān)定。未來，隨著High-NA EUV設(shè)備在更多制程技術(shù)中的應(yīng)用和推廣，英特爾有望在全球芯片制造市場中占據(jù)更加重要的地位。
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