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          頂點(diǎn)光電子商城2025年4月1日消息：今日，意法半導(dǎo)體（ST Microelectronics）與英諾賽科（02577.HK）正式宣布簽署了一項(xiàng)氮化鎵（GaN）技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議，旨在推動(dòng)氮化鎵功率技術(shù)的聯(lián)合開(kāi)發(fā)，并增強(qiáng)全球供應(yīng)鏈布局。

           雙方將共同推進(jìn)氮化鎵技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、汽車(chē)、工業(yè)電源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用。通過(guò)聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代氮化鎵功率技術(shù)，提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，并加速該技術(shù)的市場(chǎng)滲透。

           英諾賽科可借助意法半導(dǎo)體在中國(guó)以外的制造產(chǎn)能生產(chǎn)其氮化鎵晶圓。意法半導(dǎo)體則可利用英諾賽科在中國(guó)的制造產(chǎn)能生產(chǎn)其自有的氮化鎵晶圓。這種供應(yīng)鏈互補(bǔ)策略旨在增強(qiáng)雙方的全球供應(yīng)能力，提高市場(chǎng)響應(yīng)速度。

          氮化鎵功率器件因其高效、節(jié)能、輕量化等優(yōu)勢(shì)，在快充、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)、光伏逆變器等領(lǐng)域需求旺盛。英諾賽科近期業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)顯著，2024年AI及數(shù)據(jù)中心芯片交付量同比增長(zhǎng)669.8%，車(chē)規(guī)級(jí)芯片交付量增長(zhǎng)近10倍。該合作將進(jìn)一步鞏固英諾賽科在全球氮化鎵市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位，并助力意法半導(dǎo)體拓展功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

          英諾賽科股價(jià)在4月1日先跌后反彈，截至發(fā)稿時(shí)在42.4港元/股附近。該公司已于2025年3月10日被納入港股通，增強(qiáng)了其融資能力和市場(chǎng)關(guān)注度。

            展望未來(lái)，雙方計(jì)劃在未來(lái)幾年深化合作，推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在AI算力、可再生能源、電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域的應(yīng)用。該合作有望加速氮化鎵技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程，并提升全球供應(yīng)鏈的韌性。此次合作標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入更緊密的國(guó)際協(xié)作階段，可能對(duì)全球功率電子市場(chǎng)格局產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。