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創(chuàng)意電子推全球首款HBM4 IP,采臺(tái)積電N3P制程成功投片

         頂點(diǎn)光電子商城2025年4月7日消息:近日,創(chuàng)意電子(GUC)宣布成功投片全球首款HBM4 IP,采用臺(tái)積電(TSMC)最先進(jìn)的N3P制程和CoWoS-R先進(jìn)封裝技術(shù),標(biāo)志著HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)技術(shù)進(jìn)入新階段。


         HBM4 IP支持高達(dá)12Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率,相比HBM3提升2.5倍帶寬,同時(shí)功耗效率提升1.5倍,面積效率提升2倍。優(yōu)化信號完整性(SI)與電源完整性(PI),確保在各類CoWoS技術(shù)下穩(wěn)定運(yùn)行。整合以色列proteanTecs的互連監(jiān)測電路,提供HBM聯(lián)機(jī)信號的可觀測性,提升可靠性和能效。


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          臺(tái)積電的3nm增強(qiáng)版(N3P)提供更高的晶體管密度和能效,適用于高性能計(jì)算(HPC)和AI芯片。CoWoS-R封裝采用硅中介層(interposer)技術(shù),優(yōu)化多芯片集成,適用于HBM4與邏輯芯片的高效連接。


          創(chuàng)意電子成為全球首家完成HBM4控制器與PHY IP投片的公司,鞏固其在2.5D/3D IP市場的領(lǐng)先地位。HBM4的高帶寬和低功耗特性使其成為AI加速器、數(shù)據(jù)中心GPU的關(guān)鍵組件。此前有消息稱,創(chuàng)意電子可能參與SK海力士的HBM4芯片設(shè)計(jì),進(jìn)一步拓展HBM市場。


          創(chuàng)意電子計(jì)劃整合HBM4、UCIe-A與UCIe-3D IP,提供完整的2.5D/3D解決方案,滿足AI、HPC等高性能計(jì)算需求。隨著HBM4的量產(chǎn),預(yù)計(jì)將推動(dòng)下一代數(shù)據(jù)中心和AI芯片的性能飛躍。


          此次突破不僅展示了創(chuàng)意電子在先進(jìn)IP設(shè)計(jì)上的實(shí)力,也凸顯了臺(tái)積電在先進(jìn)制程和封裝技術(shù)上的領(lǐng)先優(yōu)勢,為未來HBM4的商用化鋪平道路。


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