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         頂點光電子商城2025年5月13日消息：力積電近年來大力研發3D晶圓堆疊Logic-DRAM芯片制程技術，已與AMD、日本GPU芯片設計業者及多家國際系統大廠聯手，以力積電Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術，與一線晶圓代工大廠先進邏輯制程合作開發新型3D AI芯片，發揮3D晶圓堆疊的優勢。此前，力積電與工研院合作開發的全球首款專為生成式AI應用所設計的3D AI芯片，還拿下了2024 World R&D100 AI芯片大獎。同時，力積電在SEMICON Taiwan 2024大展上發布了3D晶圓堆疊的Logic-DRAM芯片制程技術，以此創新制程生產的3D AI芯片，應用在人工智能推論（Inference）系統，已展現數據傳輸帶寬是傳統AI芯片10倍、功耗僅七分之一的優異性能。

        力積電董事長黃崇仁曾表示，公司銅鑼廠轉型，重點發展3D AI代工服務，包括中間層（Interposer）和3D晶圓堆疊技術，以滿足大型客戶需求。面對晶圓代工成熟制程產能擴增帶來的市場競爭，力積電已獲得客戶認證并開始小量出貨高容值中間層產品。公司與AMD等一線邏輯代工業者合作，開發四層DRAM晶圓的WoW模組，以滿足下游終端客戶新產品進度。力積電整合邏輯、存儲器成熟制程技術與設備，建置具有成本優勢的3D AI代工平臺。由于中間層與晶圓堆疊產品附加值高，且生產設備投資較低，力積電已部署初期數千片新產能，并可根據客戶需求快速擴充產線。隨著與印度塔塔集團合作案推進，力積電的FAB IP和3D AI代工業務步入正軌，預計2026年將迎來爆發性成長，成為成熟制程產業轉型成功的新標桿。