頂點光電子商城2025年5月22日消息：近日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。
四款器件均采用東芝第三代SiC MOSFET技術，核心參數方面，額定電壓650V，適用于中高壓功率轉換場景。封裝形式DFN8×8，體積較傳統TO-247封裝縮小90%以上，支持自動化貼片生產，提升設備功率密度。導通電阻（RDS(ON)）：TW031V65C：31mΩ（典型值）；TW054V65C：54mΩ；TW092V65C：92mΩ；TW123V65C：123mΩ。導通電阻與柵漏電荷（Qgd）的乘積顯著降低，優化了導通損耗與開關損耗的平衡。柵極驅動優化：支持開爾文連接（Kelvin Connection），減少封裝內部源極電感，提升高速開關性能。二極管特性：內置SiC肖特基勢壘二極管（SBD），正向電壓（VDSF）低至-1.35V（典型值），抑制導通電阻波動，提升可靠性。
技術優勢方面，第三代SiC MOSFET技術通過優化漂移區電阻與溝道電阻比例，實現漏源導通電阻（RDS(ON)）的溫度穩定性。與第二代產品相比，單位面積導通電阻（RDS(ON)A）降低約43%，導通損耗與開關損耗的乘積（RDS(ON)×Qgd）降低約80%，開關損耗減少約20%。
高速開關性能，DFN8×8封裝的開爾文連接設計，減少封裝內部源極線電感影響，提升開關速度。以TW054V65C為例，開通損耗降低約55%，關斷損耗降低約25%，顯著降低設備功耗。高溫穩定性，SiC材料的高擊穿電場和高熱導率，使器件可在高溫環境下穩定工作，適用于高功率密度應用。
應用場景方面，四款器件適用于多種工業與能源領域。開關電源：服務器、數據中心、通信設備等，提升電源轉換效率。光伏逆變器：優化光伏發電系統的功率調節效率。電動汽車充電站：支持快速充電設備的高效運行。不間斷電源（UPS）：提升電力系統的可靠性與能效。
市場意義方面，推動設備小型化與自動化，DFN8×8封裝支持表面貼裝技術（SMT），實現設備小型化與自動化組裝，降低生產成本。助力碳中和目標，通過提升設備效率與功率密度，減少能源損耗，支持綠色能源與高效工業設備的發展。擴展SiC功率器件產品線，東芝持續豐富SiC功率器件陣容，強化在新能源、電動汽車等領域的市場競爭力。
東芝此次推出的四款650V SiC MOSFET，憑借其低導通電阻、高速開關性能與高溫穩定性，為中高壓功率轉換應用提供了高效解決方案。DFN8×8封裝的創新設計，進一步推動了設備的小型化與自動化生產，滿足了市場對高功率密度、低損耗功率器件的需求。未來，隨著SiC技術的持續演進，東芝有望在新能源、工業設備等領域發揮更大作用，助力全球能源轉型與碳中和目標的實現。
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