頂點光電子商城2025年5月22日消息：近日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。
四款器件均采用東芝第三代SiC MOSFET技術(shù)，核心參數(shù)方面，額定電壓650V，適用于中高壓功率轉(zhuǎn)換場景。封裝形式DFN8×8，體積較傳統(tǒng)TO-247封裝縮小90%以上，支持自動化貼片生產(chǎn)，提升設(shè)備功率密度。導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：TW031V65C：31mΩ（典型值）；TW054V65C：54mΩ；TW092V65C：92mΩ；TW123V65C：123mΩ。導(dǎo)通電阻與柵漏電荷（Qgd）的乘積顯著降低，優(yōu)化了導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗的平衡。柵極驅(qū)動優(yōu)化：支持開爾文連接（Kelvin Connection），減少封裝內(nèi)部源極電感，提升高速開關(guān)性能。二極管特性：內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管（SBD），正向電壓（VDSF）低至-1.35V（典型值），抑制導(dǎo)通電阻波動，提升可靠性。
技術(shù)優(yōu)勢方面，第三代SiC MOSFET技術(shù)通過優(yōu)化漂移區(qū)電阻與溝道電阻比例，實現(xiàn)漏源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）的溫度穩(wěn)定性。與第二代產(chǎn)品相比，單位面積導(dǎo)通電阻（RDS(ON)A）降低約43%，導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗的乘積（RDS(ON)×Qgd）降低約80%，開關(guān)損耗減少約20%。
高速開關(guān)性能，DFN8×8封裝的開爾文連接設(shè)計，減少封裝內(nèi)部源極線電感影響，提升開關(guān)速度。以TW054V65C為例，開通損耗降低約55%，關(guān)斷損耗降低約25%，顯著降低設(shè)備功耗。高溫穩(wěn)定性，SiC材料的高擊穿電場和高熱導(dǎo)率，使器件可在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，適用于高功率密度應(yīng)用。
應(yīng)用場景方面，四款器件適用于多種工業(yè)與能源領(lǐng)域。開關(guān)電源：服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等，提升電源轉(zhuǎn)換效率。光伏逆變器：優(yōu)化光伏發(fā)電系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)效率。電動汽車充電站：支持快速充電設(shè)備的高效運行。不間斷電源（UPS）：提升電力系統(tǒng)的可靠性與能效。
市場意義方面，推動設(shè)備小型化與自動化，DFN8×8封裝支持表面貼裝技術(shù)（SMT），實現(xiàn)設(shè)備小型化與自動化組裝，降低生產(chǎn)成本。助力碳中和目標，通過提升設(shè)備效率與功率密度，減少能源損耗，支持綠色能源與高效工業(yè)設(shè)備的發(fā)展。擴展SiC功率器件產(chǎn)品線，東芝持續(xù)豐富SiC功率器件陣容，強化在新能源、電動汽車等領(lǐng)域的市場競爭力。
東芝此次推出的四款650V SiC MOSFET，憑借其低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)性能與高溫穩(wěn)定性，為中高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供了高效解決方案。DFN8×8封裝的創(chuàng)新設(shè)計，進一步推動了設(shè)備的小型化與自動化生產(chǎn)，滿足了市場對高功率密度、低損耗功率器件的需求。未來，隨著SiC技術(shù)的持續(xù)演進，東芝有望在新能源、工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域發(fā)揮更大作用，助力全球能源轉(zhuǎn)型與碳中和目標的實現(xiàn)。
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