頂點光電子商城2025年6月3日消息：近日，軟銀集團與英特爾公司宣布達成戰略合作，共同開發具有劃時代意義的AI專用內存芯片。
核心目標為突破當前AI計算中的能耗瓶頸，將芯片功耗降低50%，為全球AI基礎設施建設帶來革命性變化。雙方將研發一種創新的堆疊式DRAM芯片，采用全新的布線架構，完全不同于現有高帶寬內存（HBM）技術方案。
技術優勢方面，大幅提升芯片的能效比，降低電力消耗。存儲容量增加，實現至少大一倍的存儲容量。成本降低，通過改進芯片間的互連技術（如采用英特爾的嵌入式多芯片互連橋接技術EMIB），大幅降低成本。
雙方聯合成立了專門公司Saimemory，負責推進這一重大項目。Saimemory將整合英特爾的核心芯片技術與東京大學等日本頂尖科研機構的專利成果，形成獨特的技術優勢。芯片設計與專利管理由Saimemory負責。芯片制造委托專業代工廠完成，這種分工協作模式有望最大化研發效率。
研發團隊將在兩年內完成芯片原型設計，之后啟動量產評估程序。目標是在本世紀二十年代末（即2030年前）實現商業化應用。項目總投資額預計達100億日元（約合5億元人民幣），其中軟銀作為領投方已承諾注資30億日元（約合1.5億元人民幣）。
隨著AI技術在企業管理、智能制造等高端領域的深度應用，市場對高性能、低功耗計算硬件的需求正呈現指數級增長。軟銀集團明確表示，這款突破性的內存芯片將優先應用于其自建的AI訓練數據中心，滿足日益增長的高性能計算需求。相比現有HBM技術，新型AI內存芯片在功耗、成本和存儲容量方面具有顯著優勢，有望在數據中心市場占據一席之地。
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