頂點光電子商城2025年6月5日消息：近日，美光推出了第六代10nm級LPDDR5x DRAM內(nèi)存，是移動存儲技術(shù)的一項重大突破，其10.7Gbps的傳輸速率、能效優(yōu)化及超薄封裝設(shè)計，將顯著提升旗艦智能手機的AI性能與硬件設(shè)計靈活性，同時為行業(yè)樹立了新的技術(shù)標桿。
美光第六代10nm級LPDDR5x DRAM內(nèi)存實現(xiàn)了10.7Gbps的傳輸速率，這是當前市場上領(lǐng)先的傳輸速度，能夠滿足旗艦智能手機對高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨?。相比上一代產(chǎn)品，該內(nèi)存功耗降低了最高20%，這有助于延長智能手機的電池續(xù)航時間，提升用戶體驗。內(nèi)存模塊厚度僅為0.61毫米，比上一代產(chǎn)品薄14%，比競品薄6%，為折疊屏等超薄智能手機設(shè)計提供了更大的空間。該內(nèi)存采用第六代10nm級制程（1γ），這是美光首款采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)的DRAM工藝，標志著美光在先進制程領(lǐng)域的關(guān)鍵突破。
美光第六代10nm級LPDDR5x DRAM內(nèi)存專為提升旗艦智能手機的AI性能而設(shè)計，能夠滿足AI應(yīng)用對高速、低功耗內(nèi)存的需求。該產(chǎn)品的推出將推動智能手機行業(yè)在硬件設(shè)計、性能優(yōu)化等方面的創(chuàng)新，為消費者帶來更加出色的使用體驗。美光通過推出這一領(lǐng)先產(chǎn)品，進一步鞏固了其在移動存儲市場的領(lǐng)先地位，增強了與競爭對手的差異化競爭力。
未來展望，美光計劃推出從8GB到32GB的全系列容量產(chǎn)品，以滿足不同旗艦智能手機的需求。隨著技術(shù)的不斷進步，美光有望在未來推出更高速度、更低功耗的內(nèi)存產(chǎn)品，進一步推動智能手機行業(yè)的發(fā)展。美光第六代10nm級LPDDR5x DRAM內(nèi)存不僅適用于智能手機，還有望拓展到平板電腦、可穿戴設(shè)備等其他移動設(shè)備領(lǐng)域。
鄂公網(wǎng)安備 42011502001385號 鄂ICP備2021012849號 
