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           頂點光電子商城2025年6月12日消息：近日，美光交付HBM4樣品對AI平臺性能提升具有顯著助力，其技術參數和特性為AI計算帶來了關鍵突破。

          HBM4采用2048位超寬接口設計，單堆棧帶寬突破2.0TB/s，相較上一代HBM3E產品性能提升超60%。這一提升顯著優化了數據吞吐效率，可大幅加速大型語言模型（LLM）及思維鏈推理系統的響應速度，使AI加速器具備更迅捷的實時決策能力。在能效方面，HBM4實現跨越式進步，功耗效率提升超20%。這意味著數據中心能以更低能耗支持更高強度AI負載，為可持續計算提供關鍵基礎設施支撐。

           HBM4整合了美光成熟的1β（1-beta）DRAM工藝、12層先進封裝技術及高性能內存內置自檢（MBIST）功能。這種先進的封裝技術有助于提升內存的集成度和可靠性。HBM4的高帶寬與低延遲特性，以及先進的封裝技術，使得邏輯xPU與內存之間的數據傳輸能力顯著增強，從而提升了AI平臺的整體性能。

          美光已向多個核心客戶交付基于36GB 12層堆疊架構的HBM4內存樣品，旨在為下一代AI平臺開發者提供無縫集成的解決方案，滿足生成式AI爆發性增長對高效推理能力的迫切需求。美光已規劃2026年實現HBM4量產擴容，精準對接客戶下一代AI平臺商用進程。這將有助于進一步推動AI平臺性能的提升和應用范圍的擴大。