頂點(diǎn)光電子商城2025年7月2日消息：近日，瑞薩電子宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，進(jìn)一步鞏固其在氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。此次發(fā)布的產(chǎn)品基于第四代增強(qiáng)型SuperGaN?平臺，結(jié)合瑞薩對Transphorm的收購成果，針對AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車充電、可再生能源等高功率密度場景提供高效解決方案。
三款產(chǎn)品均實(shí)現(xiàn)30mΩ低導(dǎo)通電阻，較上一代產(chǎn)品降低14%，顯著減少導(dǎo)通損耗。導(dǎo)通電阻與輸出電容乘積（RDS(on)×Coss）提升20%，優(yōu)化開關(guān)損耗與效率平衡。4V閾值電壓高于傳統(tǒng)增強(qiáng)型GaN器件，增強(qiáng)抗干擾能力，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。
封裝與熱管理方面，提供TOLT、TO-247、TOLL三種封裝選項(xiàng)，支持頂部或底部散熱路徑，滿足不同功率等級（1kW-10kW）需求。表面貼裝封裝（如TOLT）降低外殼溫度，便于高電流場景下的器件并聯(lián)，提升功率擴(kuò)展性。
基于耗盡型（d-mode）常關(guān)斷架構(gòu)，集成高壓GaN HEMT與低壓硅MOSFET，實(shí)現(xiàn)常閉操作，同時(shí)兼容標(biāo)準(zhǔn)硅驅(qū)動(dòng)器，簡化設(shè)計(jì)流程。更低柵極電荷（Qg）、輸出電容（Coss）及交叉損耗，減少開關(guān)損耗，提升高頻效率。
應(yīng)用場景方面，瞄準(zhǔn)高功率密度需求。AI數(shù)據(jù)中心與服務(wù)器電源，支持新型800V高壓直流架構(gòu)，提升功率轉(zhuǎn)換效率，滿足AI計(jì)算對高能效、緊湊體積的需求。電動(dòng)汽車充電，適用于高壓快充系統(tǒng)，通過高開關(guān)頻率和低損耗特性，縮短充電時(shí)間并降低熱管理成本。可再生能源與儲能，太陽能逆變器、電池儲能系統(tǒng)（BESS）及不間斷電源（UPS）中，提升能量轉(zhuǎn)換效率，減少系統(tǒng)體積與重量。工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)，在工業(yè)自動(dòng)化場景中，提供高可靠性、高效率的功率轉(zhuǎn)換，支持設(shè)備小型化與能效升級。
通過收購Transphorm，瑞薩電子將成熟的SuperGaN?平臺與自身驅(qū)動(dòng)器、控制器產(chǎn)品整合，提供系統(tǒng)級解決方案，降低客戶設(shè)計(jì)復(fù)雜度與總成本。
性能對比優(yōu)勢，效率提升：相比硅基器件，GaN FET開關(guān)損耗降低50%以上，功率密度提升3倍。成本優(yōu)化：更小裸片尺寸（較前代縮小14%）降低系統(tǒng)成本，輸出電容減少20%，提升效率與可靠性。設(shè)計(jì)兼容性，兼容標(biāo)準(zhǔn)硅驅(qū)動(dòng)器，無需專用驅(qū)動(dòng)電路，降低GaN技術(shù)采用門檻，加速產(chǎn)品落地。
瑞薩電子此次發(fā)布的三款GaN FET，標(biāo)志著其在高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)一步深耕。通過技術(shù)創(chuàng)新與生態(tài)整合，瑞薩電子不僅強(qiáng)化了自身在AI、電動(dòng)汽車、可再生能源等高增長市場的競爭力，也為行業(yè)提供了更高效、可靠的功率轉(zhuǎn)換解決方案。
隨著GaN技術(shù)在800V高壓架構(gòu)、高頻應(yīng)用中的滲透率提升，瑞薩電子有望憑借其全面的產(chǎn)品組合（覆蓋25W至10kW功率范圍）和垂直整合能力，持續(xù)引領(lǐng)功率電子行業(yè)的變革，推動(dòng)“高功率密度、高效率、低成本”的電源系統(tǒng)普及。
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