頂點光電子商城2025年7月9日消息：近日，瑞薩電子宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS。
這三款新型產品基于穩健可靠的SuperGaN?平臺打造，結合對Transphorm的收購成果，實現多項技術突破。導通電阻（RDS(on)）低至30mΩ，較前代產品降低14%，顯著減少導通損耗。開關損耗優化，柵極電荷（Qg）和輸出電容（Coss）降低，交叉損耗減少，支持高頻開關（如硬開關應用中Qg低至24.5nC）。導通電阻與輸出電容乘積（FOM）提升20%，平衡開關損耗與效率。
封裝與熱管理方面，封裝選項提供TOLT（頂部散熱）、TO-247（傳統電力電子封裝）、TOLL（底部散熱）三種封裝，覆蓋1kW至10kW功率范圍。散熱設計，表面貼裝封裝（如TOLT）降低外殼溫度，支持高電流場景下的器件并聯，提升功率擴展性。架構創新，耗盡型（D-Mode）常關斷架構，集成高壓GaN HEMT與低壓硅MOSFET，實現常閉操作，兼容標準硅驅動器，無需專用驅動電路。抗干擾能力，4V閾值電壓高于傳統增強型GaN器件，增強系統穩定性，減少誤觸發風險。
與硅基器件對比，效率提升，開關損耗降低50%以上，功率密度提升3倍。成本優化，裸片尺寸縮減14%，系統成本降低，輸出電容減少20%。與競品GaN器件對比，導通電阻，瑞薩產品導通電阻低至30mΩ，優于Transphorm同類產品（72mΩ）。驅動兼容性，兼容標準硅驅動器，無需專用驅動電路，降低設計門檻。熱穩定性，動態RDS(on)在高溫下（150℃）增幅低于SiC器件，減少電流坍塌效應。與SiC器件對比，開關頻率，GaN FET支持更高頻率（如MHz級），適用于高頻應用（如圖騰柱PFC）。成本效益，硅襯底GaN器件成本低于SiC，且8英寸晶圓量產進一步降低成本。
應用場景與市場影響方面，AI數據中心與服務器電源，支持新型800V直流電源系統，提升功率轉換效率，滿足AI計算對高能效和緊湊體積的需求。案例驗證：某頭部云服務商采用TP65H030G4PWS構建4.2kW圖騰柱PFC電源，系統峰值效率達99.2%，功率密度突破120W/in3。電動汽車充電，高壓快充：適用于22kW集成式車載充電機（OBC），30分鐘補能400km，降低熱管理成本。技術優勢：無反向恢復電荷（Qrr），減少開關損耗，提升充電效率。可再生能源與儲能，光伏逆變器：轉換效率>99%，微型逆變器GaN采用率達80%。儲能系統：雙向DC-DC模塊循環效率達97.5%，支持戶儲市場年增50%。工業電源，模塊化UPS：靜態切換時間<2ms，10kW系統體積縮減40%，散熱器重量降低300g。
據Yole預測，2025-2030年CAGR達62%，瑞薩電子市場份額有望突破25%。AI數據中心能耗占比升至全球電力10%，GaN滲透率將突破35%；全球EV充電樁保有量超4000萬臺，車規級GaN需求激增。國際巨頭英飛凌、意法半導體在高端GaN市場占據領先地位，但瑞薩通過垂直整合（驅動器+控制器+GaN）提供系統級解決方案。本土企業華大半導體、士蘭微等通過自主研發實現技術突破，但瑞薩在高壓GaN領域仍具技術優勢。
瑞薩戰略方面，生態整合，結合收購的Transphorm技術與自身產品組合，提供“GaN+控制器”完整解決方案，降低客戶設計復雜度。產能擴展，與Polar Semiconductor合作量產8英寸GaN晶圓，提升供應能力。
瑞薩電子通過三款650V GaN FET的推出，不僅鞏固了其在高壓功率半導體領域的領先地位，更通過技術創新與生態整合，為AI、電動汽車、可再生能源等高增長市場提供了高效、可靠的功率轉換解決方案。隨著GaN技術的持續滲透，瑞薩有望引領功率電子行業邁向“高功率密度、高效率、低成本”的新時代。
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