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         頂點(diǎn)光電子商城2025年7月9日消息：近日，瑞薩電子宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS。

         這三款新型產(chǎn)品基于穩(wěn)健可靠的SuperGaN?平臺(tái)打造，結(jié)合對(duì)Transphorm的收購(gòu)成果，實(shí)現(xiàn)多項(xiàng)技術(shù)突破。導(dǎo)通電阻（RDS(on)）低至30mΩ，較前代產(chǎn)品降低14%，顯著減少導(dǎo)通損耗。開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)化，柵極電荷（Qg）和輸出電容（Coss）降低，交叉損耗減少，支持高頻開(kāi)關(guān)（如硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中Qg低至24.5nC）。導(dǎo)通電阻與輸出電容乘積（FOM）提升20%，平衡開(kāi)關(guān)損耗與效率。

          封裝與熱管理方面，封裝選項(xiàng)提供TOLT（頂部散熱）、TO-247（傳統(tǒng)電力電子封裝）、TOLL（底部散熱）三種封裝，覆蓋1kW至10kW功率范圍。散熱設(shè)計(jì)，表面貼裝封裝（如TOLT）降低外殼溫度，支持高電流場(chǎng)景下的器件并聯(lián)，提升功率擴(kuò)展性。架構(gòu)創(chuàng)新，耗盡型（D-Mode）常關(guān)斷架構(gòu)，集成高壓GaN HEMT與低壓硅MOSFET，實(shí)現(xiàn)常閉操作，兼容標(biāo)準(zhǔn)硅驅(qū)動(dòng)器，無(wú)需專用驅(qū)動(dòng)電路。抗干擾能力，4V閾值電壓高于傳統(tǒng)增強(qiáng)型GaN器件，增強(qiáng)系統(tǒng)穩(wěn)定性，減少誤觸發(fā)風(fēng)險(xiǎn)。

          與硅基器件對(duì)比，效率提升，開(kāi)關(guān)損耗降低50%以上，功率密度提升3倍。成本優(yōu)化，裸片尺寸縮減14%，系統(tǒng)成本降低，輸出電容減少20%。與競(jìng)品GaN器件對(duì)比，導(dǎo)通電阻，瑞薩產(chǎn)品導(dǎo)通電阻低至30mΩ，優(yōu)于Transphorm同類產(chǎn)品（72mΩ）。驅(qū)動(dòng)兼容性，兼容標(biāo)準(zhǔn)硅驅(qū)動(dòng)器，無(wú)需專用驅(qū)動(dòng)電路，降低設(shè)計(jì)門檻。熱穩(wěn)定性，動(dòng)態(tài)RDS(on)在高溫下（150℃）增幅低于SiC器件，減少電流坍塌效應(yīng)。與SiC器件對(duì)比，開(kāi)關(guān)頻率，GaN FET支持更高頻率（如MHz級(jí)），適用于高頻應(yīng)用（如圖騰柱PFC）。成本效益，硅襯底GaN器件成本低于SiC，且8英寸晶圓量產(chǎn)進(jìn)一步降低成本。

         應(yīng)用場(chǎng)景與市場(chǎng)影響方面，AI數(shù)據(jù)中心與服務(wù)器電源，支持新型800V直流電源系統(tǒng)，提升功率轉(zhuǎn)換效率，滿足AI計(jì)算對(duì)高能效和緊湊體積的需求。案例驗(yàn)證：某頭部云服務(wù)商采用TP65H030G4PWS構(gòu)建4.2kW圖騰柱PFC電源，系統(tǒng)峰值效率達(dá)99.2%，功率密度突破120W/in3。電動(dòng)汽車充電，高壓快充：適用于22kW集成式車載充電機(jī)（OBC），30分鐘補(bǔ)能400km，降低熱管理成本。技術(shù)優(yōu)勢(shì)：無(wú)反向恢復(fù)電荷（Qrr），減少開(kāi)關(guān)損耗，提升充電效率。可再生能源與儲(chǔ)能，光伏逆變器：轉(zhuǎn)換效率>99%，微型逆變器GaN采用率達(dá)80%。儲(chǔ)能系統(tǒng)：雙向DC-DC模塊循環(huán)效率達(dá)97.5%，支持戶儲(chǔ)市場(chǎng)年增50%。工業(yè)電源，模塊化UPS：靜態(tài)切換時(shí)間<2ms，10kW系統(tǒng)體積縮減40%，散熱器重量降低300g。

         據(jù)Yole預(yù)測(cè)，2025-2030年CAGR達(dá)62%，瑞薩電子市場(chǎng)份額有望突破25%。AI數(shù)據(jù)中心能耗占比升至全球電力10%，GaN滲透率將突破35%；全球EV充電樁保有量超4000萬(wàn)臺(tái)，車規(guī)級(jí)GaN需求激增。國(guó)際巨頭英飛凌、意法半導(dǎo)體在高端GaN市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先地位，但瑞薩通過(guò)垂直整合（驅(qū)動(dòng)器+控制器+GaN）提供系統(tǒng)級(jí)解決方案。本土企業(yè)華大半導(dǎo)體、士蘭微等通過(guò)自主研發(fā)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，但瑞薩在高壓GaN領(lǐng)域仍具技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

          瑞薩戰(zhàn)略方面，生態(tài)整合，結(jié)合收購(gòu)的Transphorm技術(shù)與自身產(chǎn)品組合，提供“GaN+控制器”完整解決方案，降低客戶設(shè)計(jì)復(fù)雜度。產(chǎn)能擴(kuò)展，與Polar Semiconductor合作量產(chǎn)8英寸GaN晶圓，提升供應(yīng)能力。

            瑞薩電子通過(guò)三款650V GaN FET的推出，不僅鞏固了其在高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，更通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新與生態(tài)整合，為AI、電動(dòng)汽車、可再生能源等高增長(zhǎng)市場(chǎng)提供了高效、可靠的功率轉(zhuǎn)換解決方案。隨著GaN技術(shù)的持續(xù)滲透，瑞薩有望引領(lǐng)功率電子行業(yè)邁向“高功率密度、高效率、低成本”的新時(shí)代。