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        頂點光電子商城2025年7月24日消息：碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，因其高能效、耐高溫等特性，成為人工智能、電氣化等領域的關鍵技術。安森美作為全球功率半導體領導者，需通過材料創新鞏固市場地位。

        近日，安森美與石溪大學達成合作，共同投資2000萬美元建設半導體材料研究中心，旨在推動碳化硅材料研發與產業化應用。

         合作目標是研發更大尺寸、更高質量的碳化硅晶體，降低器件成本。提升材料質量，加速碳化硅功率電子器件在高性能、高能效領域的應用。構建新的人才體系，推動功率半導體創新發展。

          安森美投資800萬美元，用于支持研究中心運營。石溪大學投入1000萬美元，用于實驗室翻修與設備采購。紐約州帝國州發展局通過長島地區經濟發展委員會提供最多200萬美元資金支持。

        研究領域包括晶體生長、加工與計量測量技術。寬禁帶材料（如碳化硅）及器件支持技術的基礎研究。研究中心預計于2027年初全面投入運營。

         通過聯合研發，有望解決碳化硅晶體尺寸與質量瓶頸，推動功率半導體性能提升。降低器件成本，加速碳化硅在電動汽車、可再生能源等領域的應用。構建新的人才體系，為功率半導體領域輸送創新力量。為半導體企業與高校合作提供范例，促進產學研深度融合。