頂點光電子商城2025年9月5日消息：近日，英諾賽科第三代700V GaN增強型氮化鎵功率器件系列已全面上市。該系列器件通過工藝優化與結構創新，實現了核心性能的顯著提升，為電源系統設計樹立了新標桿。
全新Gen3 700V系列芯片面積縮減30%,通過先進的工藝優化與結構創新，顯著提升硅片利用率，助力實現更高功率密度設計。開關性能提升20-30%，電容降低20-30%：有效降低開關損耗與驅動損耗，顯著提升系統整體效率。在同等應用條件下，芯片殼溫可降低3-6°C，大幅增強系統長期運行可靠性。提供多種標準封裝選項，滿足多元化應用場景需求：
DFN5x6極致緊湊，適用于對空間要求極高的應用。DFN8x8平衡性能與尺寸，適用于大多數通用場景。TO252通用性強，散熱佳，采用該封裝的旗艦型號INN700TK100E，典型導通電阻（Ron）低至74mΩ，突破了傳統TO252封裝器件的性能極限，可高效支持高達500W的應用功率等級。SOT223經典封裝，適用于特定應用場景。
應用領域廣泛,得益于更低的導通電阻（Ron）和開關損耗，Gen3 700V系列適用于以下領域：PD快充/適配器：尤其高功率應用，可顯著提升效率并縮小尺寸。LED照明驅動電源：提高能效，降低發熱，延長使用壽命。智能家電電源：提升家電的能效表現，降低待機功耗。數據中心服務器電源：滿足高密度、高效率的電源需求，降低數據中心運營成本。工業開關電源（SMPS）：提高工業設備的能效和可靠性，減少維護成本。
英諾賽科通過第三代700V GaN系列，實現了核心參數的實質性優化，為電源設計工程師提供了創新的高性能解決方案。該系列的上市，將推動電源系統向更高功率密度、更高系統效率的方向發展，滿足AI算力、新能源汽車、機器人等未來產業對高效電源的需求。
英諾賽科是全球領先的第三代半導體高新技術企業，致力于硅基氮化鎵（GaN-on-Si）的研發與制造。公司擁有全球最大規模的8英寸硅基氮化鎵晶圓生產基地，產品設計及性能處于國際先進水平。英諾賽科的產品涵蓋從低壓到高壓（15V-1200V）的氮化鎵功率器件，可廣泛應用于消費電子、可再生能源及工業應用、汽車電子及數據中心等前沿領域。
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