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          頂點(diǎn)光電子商城2025年9月5日消息：近日，英諾賽科第三代700V GaN增強(qiáng)型氮化鎵功率器件系列已全面上市。該系列器件通過工藝優(yōu)化與結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)了核心性能的顯著提升，為電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)樹立了新標(biāo)桿。

          全新Gen3 700V系列芯片面積縮減30%,通過先進(jìn)的工藝優(yōu)化與結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，顯著提升硅片利用率，助力實(shí)現(xiàn)更高功率密度設(shè)計(jì)。開關(guān)性能提升20-30%，電容降低20-30%：有效降低開關(guān)損耗與驅(qū)動(dòng)損耗，顯著提升系統(tǒng)整體效率。在同等應(yīng)用條件下，芯片殼溫可降低3-6°C，大幅增強(qiáng)系統(tǒng)長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性。提供多種標(biāo)準(zhǔn)封裝選項(xiàng)，滿足多元化應(yīng)用場(chǎng)景需求：

          DFN5x6極致緊湊，適用于對(duì)空間要求極高的應(yīng)用。DFN8x8平衡性能與尺寸，適用于大多數(shù)通用場(chǎng)景。TO252通用性強(qiáng)，散熱佳，采用該封裝的旗艦型號(hào)INN700TK100E，典型導(dǎo)通電阻（Ron）低至74mΩ，突破了傳統(tǒng)TO252封裝器件的性能極限，可高效支持高達(dá)500W的應(yīng)用功率等級(jí)。SOT223經(jīng)典封裝，適用于特定應(yīng)用場(chǎng)景。

           應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,得益于更低的導(dǎo)通電阻（Ron）和開關(guān)損耗，Gen3 700V系列適用于以下領(lǐng)域：PD快充/適配器：尤其高功率應(yīng)用，可顯著提升效率并縮小尺寸。LED照明驅(qū)動(dòng)電源：提高能效，降低發(fā)熱，延長(zhǎng)使用壽命。智能家電電源：提升家電的能效表現(xiàn)，降低待機(jī)功耗。數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源：滿足高密度、高效率的電源需求，降低數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)成本。工業(yè)開關(guān)電源（SMPS）：提高工業(yè)設(shè)備的能效和可靠性，減少維護(hù)成本。

          英諾賽科通過第三代700V GaN系列，實(shí)現(xiàn)了核心參數(shù)的實(shí)質(zhì)性優(yōu)化，為電源設(shè)計(jì)工程師提供了創(chuàng)新的高性能解決方案。該系列的上市，將推動(dòng)電源系統(tǒng)向更高功率密度、更高系統(tǒng)效率的方向發(fā)展，滿足AI算力、新能源汽車、機(jī)器人等未來產(chǎn)業(yè)對(duì)高效電源的需求。

           英諾賽科是全球領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體高新技術(shù)企業(yè)，致力于硅基氮化鎵（GaN-on-Si）的研發(fā)與制造。公司擁有全球最大規(guī)模的8英寸硅基氮化鎵晶圓生產(chǎn)基地，產(chǎn)品設(shè)計(jì)及性能處于國(guó)際先進(jìn)水平。英諾賽科的產(chǎn)品涵蓋從低壓到高壓（15V-1200V）的氮化鎵功率器件，可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心等前沿領(lǐng)域。