頂點光電子商城2025年9月8日消息：近日，晶飛半導(dǎo)體成功研發(fā)國內(nèi)首臺自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備，實現(xiàn)了12英寸碳化硅晶圓的量產(chǎn)級剝離。該設(shè)備從激光器、光學(xué)頭到運動平臺，均采用100%國產(chǎn)供應(yīng)鏈，徹底打破了美德日等國在碳化硅加工設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)壟斷。
12英寸晶圓相比主流6英寸晶圓，可用面積提升約4倍，單顆芯片成本降低30%—40%。傳統(tǒng)金剛石線鋸切割損耗高達(dá)30%，而激光剝離技術(shù)將損耗壓至5%以內(nèi)，一片12英寸晶圓可多產(chǎn)400顆車規(guī)級MOSFET。設(shè)備報價僅為歐洲同類產(chǎn)品的1/3，交付周期縮短一半，國內(nèi)碳化硅廠商已排隊至2027年。
按2025年全球碳化硅芯片市場規(guī)模120億美元測算，中國廠商一年可節(jié)省15億美元成本，相當(dāng)于3個“蔚小理”一年的研發(fā)投入。成本降低將加速碳化硅器件在新能源汽車、可再生能源等領(lǐng)域的應(yīng)用。
該技術(shù)解決了大尺寸碳化硅晶圓加工的技術(shù)瓶頸，為全球碳化硅產(chǎn)能擴張?zhí)峁┝嗽O(shè)備保障。例如，特斯拉、比亞迪等企業(yè)已緊急評估技術(shù)導(dǎo)入，以應(yīng)對未來需求。
技術(shù)突破打破了國外廠商對大尺寸碳化硅加工設(shè)備的技術(shù)壟斷，為我國半導(dǎo)體裝備自主可控提供了重要支撐。國內(nèi)企業(yè)如華為、理想、蔚來等，計劃從2026年起將SiC主驅(qū)逆變器國產(chǎn)化率提升至70%。
從6英寸到12英寸的跨越，不僅是尺寸升級，更是中國半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)“從0到1”的硬核跨越。激光剝離技術(shù)切下的不僅是晶圓，更是套在中國第三代半導(dǎo)體身上多年的“緊箍咒”。未來，隨著技術(shù)普及，碳化硅器件將更廣泛地應(yīng)用于電動汽車、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域，推動全球能源與科技革命。
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