頂點(diǎn)光電子商城2025年10月23日消息：聯(lián)華電子近日宣布推出全新的55納米BCD工藝平臺，旨在滿足下一代移動設(shè)備、消費(fèi)電子、汽車及工業(yè)應(yīng)用對電源管理芯片日益增長的高效能與低功耗需求。
BCD是一種特色工藝技術(shù)，它的獨(dú)特之處在于將三種不同的技術(shù)整合在單一芯片上：雙極性晶體管、CMOS和DMOS功率器件。這種集成能力使得BCD技術(shù)廣泛應(yīng)用于電源管理與混合信號集成電路，完美兼顧模擬、數(shù)字與電力元件的不同需求。聯(lián)電技術(shù)研發(fā)副總經(jīng)理徐世杰表示，55納米BCD平臺的推出是聯(lián)電在BCD技術(shù)布局上的重要里程碑。
聯(lián)電的55納米BCD平臺提供三種制程選項(xiàng)，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。非外延制程針對移動和消費(fèi)類設(shè)備，提供了經(jīng)濟(jì)高效的解決方案，兼顧了能效與模擬性能。外延制程符合最嚴(yán)格的AEC-Q100 Grade 0汽車標(biāo)準(zhǔn)，支持高達(dá)150V的工作電壓，提升了汽車電子在極端環(huán)境下的可靠性。絕緣體上硅制程則符合AEC-Q100 1級標(biāo)準(zhǔn)，具備卓越的降噪、高速和低泄漏特性，適用于高級汽車和工業(yè)用途。
與傳統(tǒng)工藝相比，聯(lián)電的55納米BCD平臺在多方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。新平臺提供更小的芯片面積、更低的功耗和卓越的降噪效果，從而提高了電源電路設(shè)計(jì)的靈活性和可靠性。該平臺還整合了超厚金屬技術(shù)、嵌入式閃存和電阻式隨機(jī)存取存儲器技術(shù)，進(jìn)一步增強(qiáng)了芯片的性能和功能多樣性。
這一55納米BCD平臺的應(yīng)用范圍十分廣泛，涵蓋智能手機(jī)、穿戴式裝置、汽車電子、智能家庭與智慧工廠等多個(gè)領(lǐng)域。在消費(fèi)電子領(lǐng)域，該平臺可幫助延長電池續(xù)航，減小設(shè)備尺寸；在汽車電子領(lǐng)域，則能提升系統(tǒng)可靠性，滿足嚴(yán)苛的車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。隨著電子產(chǎn)品電源管理需求日益復(fù)雜，這一平臺有望成為多種電子設(shè)備電源管理的核心技術(shù)。
聯(lián)電此次推出的55納米BCD平臺，進(jìn)一步完善了其在特殊制程領(lǐng)域的產(chǎn)品組合。據(jù)了解，聯(lián)電目前已經(jīng)建立了完整的BCD工藝組合，涵蓋從0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.11μm到55nm的多個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。這一布局強(qiáng)化了聯(lián)電在電源管理市場的競爭優(yōu)勢，為客戶提供更多元化的技術(shù)選擇。
隨著電子產(chǎn)品對電源效率要求不斷提高，聯(lián)電的55納米BCD平臺為行業(yè)提供了更小尺寸、更高效率的電源管理解決方案。從智能手機(jī)到汽車電子，從消費(fèi)產(chǎn)品到工業(yè)應(yīng)用，這一技術(shù)平臺的推出將推動各類電子設(shè)備在能效與性能上邁向新臺階。未來，更高效、更集成的電源管理芯片將成為電子設(shè)備進(jìn)化的關(guān)鍵推動力之一。
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