采用激光器與受光器的光無線供電技術，作為面向各類設備裝置的新型能量傳輸技術而備受關注。InGaN受光器件具有寬帶隙特性，可獲得較高開路電壓，其優異的光電轉換效率已有研究報告[1, 2]。本研究制備了3×3 mm2的In?.?Ga?.?N受光器件，通過照射對人眼安全的400nm以下激光，開展了光無線供電系統研究。
■方法
對制備的InGaN受光器件照射波長394nm激光進行特性評估（如下圖）。光電轉換效率(ηpv)采用激光入射強度(Pin)與受光器件最大輸出功率(Pout)，按ηpv=Pout / Pin公式計算。
■結果
在激光照射強度398 mW/cm2 （相當于4倍標準太陽光強度）條件下，獲得了20.8%的光電轉換效率（如下圖）。現階段需明確的是，實現更高效率需要改善曲線因子(FF)。未來通過降低器件的接觸電阻與薄層電阻，有望進一步提升轉換效率。
參考文獻
[1] M. Miyoshi et al, AIPA 11 (2021) 095208
[2] 藤澤 孝博 等, 第 70屆春季學術講演會 15a-B401-5 (2023)
鄂公網安備 42011502001385號 鄂ICP備2021012849號 
