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三星舉辦了晶圓代工論壇 公布晶圓代工技術路線圖

        新冠疫情的突然出現,促進了日常生活數字化。未來在半導體芯片方面的需求將會越來越大。10月7日,三星集團舉辦了三星晶圓代工論壇。在論壇上,三星公布了其代工業務未來的發展路線。


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三星推出全新17LPV工藝


        這次論壇還充當了新品發布會的功能。三星在論壇上公布了其全新的17LPV工藝。LPV就是Low Power Value的簡稱,即低功率值。17nm低功率值工藝是在28nm工藝的基礎上,融入了14nm FinFET立體晶體管,并結合14nm FEOL前端工序和8nm BEOL后端工序,可以稱得上是28nm工藝的進階版本。


        17LPV工藝在現有技術的基礎上進行改進,盡可能的降低了研發成本,同時又保證了性能的提升和能耗的減少。三星在此次論壇上表示,與之前的28nm工藝相比,17LPV工藝可以有效縮小超過40%的芯片面積,同時可以將芯片性能提升39%,能耗降低49%。


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        三星表示,該17LPV工藝將首先用在自己的CMOS圖像傳感器產品線上,具體來說,是三星自己的ISP圖像信號處理器。至于什么時候可以量產,三星此次并沒有透露。


        三星還透漏了其最新研發的14nm LPU工藝。LPU是Low Power Ultimate的簡稱,即終極低功耗。但是三星并未就14nm LPU工藝做過多的說明,外界猜測可能是在28nm BEOL的基礎上融入了14nm FEOL。


全新3nm工藝將在2022年量產


        為了在代工工藝上追趕臺積電,三星首次將全新的GAA(Gate-all-around,環繞柵極)技術用在了3nm工藝的研發當中。可能是研發進度比較順利,三星曾在2021年上半年宣布,3nm GAA工藝已成功流片(Tape Out),并計劃將3nm工藝的量產時間提前到2021年下半年。


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        但是,在此次論壇上,三星突然表示全新的GAA技術難度很高,3nm GAA工藝預計要推遲到2022年上半年才能量產。3nm GAA工藝還分為高性能版(3GAP)和低功耗版(3GAE),3GAE預計在2022年年初量產,3GAP預計2023年年初量產。


        相比上一代5nm工藝,三星全新3nm GAA工藝在芯片面積上縮小了35個百分點,同性能下功耗下降了50個百分點,同功耗下性能提升了30個百分點。

首次透漏2nm工藝


        雖然沒有在技術路線圖上展示2nm工藝的研發進度,但三星高層還是透漏了2GAP工藝的研發安排,預計在2025年量產。不過,三星還給這個時間加上了限制:具體要看客戶的生產計劃和安排。

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        此前,英特爾高調宣布進軍晶圓代工市場,不過以英特爾的實力,追趕臺積電和三星還有點困難。三星通過這次論壇,高調展示其新工藝的研發量產時間表,大有和臺積電爭當龍頭老大的意味。不過,從實際情況來看,臺積電在2nm工藝方面將提前三星一年進行量產,三星在晶圓代工業務方面追趕臺積電還有一段路要走。