在10月7日舉辦的論壇活動上，三星透露其將把3nmGAA制程推遲至明年上半年量產。
但這之前，在2021年上半年時三星早已官宣其3nmGAA工藝已成功試生產（試用成功將會大規模生產），在前不久，三星也正式宣布將批量生產3GAE和3GAP節點，這給三星帶來令人難以想象的能效提升。
因為三星認為采用舊的設計所產生的成本會影響到所得到的收益，甚至收益會小于成本。所以三星采用了全新的GAA形式，也是三星帶來令人驚嘆的能效的原因。全新的GAA形式，是三星摒棄了以前使用的納米線形式，而采用多層堆疊的納米線進行替代。
據悉，三星這一新的工藝可以在保留原有優點的情況下，將生產的復雜難度降低。與此同時，MBCFET—— FinFET 的升級版，在保持他原有面積的優點上，提升了性能，不僅兼容了以往的技術，還實現了設計上的遷移。
并且，三星也提出其宣布的3nmGAA技術相較于其之前的7nmLPP將會提高35%的性能和節省50%的功能損耗，在提高性能的基礎上更加持久。
根據先前對蘋果的報道，蘋果從臺積電獲得的最初的3nm芯片供應，但似乎生產這種光刻技術芯片也帶來了不少技術層面上的問題，因此這使臺積電不得不再投入到3nm的研究當中并推遲批產。
基于以上的原因，可能是三星也擔心如果過早的批產這些節點可能會重蹈臺積電的覆轍，但這一推延反而使得芯片短缺加劇。
不過，三星推遲批量生產將給三星更多的準備時間，這使三星能夠建立起更加穩固的基礎，并在實驗當中探索出滿意的答案，在這之后應該可以以更快的速度產出更多的晶圓，進而緩解芯片短缺的問題。
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