據國際權威調查機構的數據，去年全球功率半導體器件的市場規模為175億美元，并預測到2026年，這一數字將上漲到260億美元，年復合增長率為6.9%。
現階段半導體分立器件主導了功率器件市場，在未來幾年，這一情況將會發生改變：功率模塊的市場規模將急劇上升。據預測，到2026年分立器件的市場規模將突破160億美元。在工業電機、家用電器和電動汽車的推動下，功率模塊的市場規模將增至100億美元，與分立器件的差距將大大縮小。
SiC、MOSFET和IGBT技術，是功率半導體中最重要的三個分支。SiC是基礎原材料，MOSFET則對低功率細分市場十分關鍵，IGBT模塊是工業應用和電動汽車的核心。電動汽車則是未來發展的大方向，市場前景十分廣闊。
從2020年到2026年，在硅基MOSFET組件的主導下，低功率模塊將以年復合增長率3.8%的速度增長。細分市場中的汽車輔助系統、小功率工業應用和消費電子將會是低功率模塊的主要需求領域。
不過，在消費電子快速充電器市場，氮化鎵材料將會搶占部分硅基MOSFET的份額。汽車輔助系統領域也存在不確定因素，因為在未來的汽車輔助駕駛系統中，會出現大量小型輔助系統。
IGBT模塊的增長速度也將非常迅速，預計年復合增長率將達到7.8%，為三個分支之最。IGBT模塊的增長除了來自工業應用和電動汽車外，還有其他市場，如風能產業等。
SiC技術也是非常有前景的一塊市場。SiC分立器件和模塊已經大量運用在電動汽車領域。到2026年，SiC分立器件和模塊的市場規模將達到26一美艷，這其中，電動汽車的貢獻將功不可沒。
鄂公網安備 42011502001385號 鄂ICP備2021012849號 
